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浏览/检索结果: 共11条，第1-10条 帮助 限定条件 专题：物理研究所    第一署名单位    第一作者单位    通讯作者单位     已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 Optical characterization of beta-FeSi2 thin films prepared by femtosecond laser ablation 期刊论文 CHINESE PHYSICS LETTERS, 2007, 卷号: 24, 期号: 2, 页码: 563 Zhou, YH; Yang, G; Zhang, ZH; Long, H; Duan, XF; Gao, YH; Zheng, QG; Lu, PX 收藏  |  浏览/下载：12/0  |  提交时间：2013/09/24 STRUCTURAL-PROPERTIES  SILICON  LAYERS  TEMPERATURE   Synthesis and optical properties of semiconducting beta-FeSi2 nanocrystals 期刊论文 APPLIED PHYSICS LETTERS, 2003, 卷号: 82, 期号: 19, 页码: 3224 Wan, Q; Wang, TH; Lin, CL 收藏  |  浏览/下载：6/0  |  提交时间：2013/09/24 THIN-FILMS  TEMPERATURE  SILICON   A comparative study on microstructures of beta-FeSi2 and carbon-doped beta-Fe(Si,C)(2) films by transmission electron microscopy 期刊论文 NUCLEAR INSTRUMENTS & METHODS IN PHYSICS RESEARCH SECTION B-BEAM INTERACTIONS WITH MATERIALS AND ATOMS, 2002, 卷号: 194, 期号: 1, 页码: 47 Li, XN; Nie, D; Dong, C 收藏  |  浏览/下载：10/0  |  提交时间：2013/09/17 ION-BEAM SYNTHESIS  SEMICONDUCTING FESI2  THIN-FILMS  DISILICIDE  DEPOSITION   Microstructure of beta-FeSi2 film synthesized by ion implantation 期刊论文 ACTA PHYSICA SINICA, 2002, 卷号: 51, 期号: 1, 页码: 115 Li, XN; Nie, D; Dong, CA; Ma, TC; Jin, X; Zhang, Z 收藏  |  浏览/下载：17/0  |  提交时间：2013/09/18 TRANSMISSION ELECTRON-MICROSCOPY  SOLID-PHASE EPITAXY  SEMICONDUCTING FESI2  BEAM SYNTHESIS  THIN-FILMS  DISILICIDE  SI(001)  SILICON  LAYERS   Formation of bulk beta-FeSi2 by annealing rapidly solidified alpha-FeSi2 ribbons 期刊论文 JOURNAL OF MATERIALS RESEARCH, 2000, 卷号: 15, 期号: 5, 页码: 1045 Zhou, ZH; Zhao, JH; Wang, WK; Sun, LL 收藏  |  浏览/下载：13/0  |  提交时间：2013/09/17 FESI2  DISILICIDE   The growth and thermal stability of Ti-silicides obtained by metal vapor vacuum arc ion source implantation 期刊论文 PHYSICA STATUS SOLIDI A-APPLIED RESEARCH, 2000, 卷号: 179, 期号: 1, 页码: 95 Wang, SB; Liang, H; Zhu, PR 收藏  |  浏览/下载：6/0  |  提交时间：2013/09/23 THIN-FILMS  SI   Epitaxial growth of alloy Cr(Ni)Si-2 by metal vapour vacuum are ion source implantation and post-annealing 期刊论文 VACUUM, 2000, 卷号: 56, 期号: 2, 页码: 95 Wang, SB; Liang, H; Zhu, PR 收藏  |  浏览/下载：11/0  |  提交时间：2013/09/17 Preferential growth of C54TiSi(2) by metal vapor vacuum arc ion source implantation and post-annealing 期刊论文 SURFACE & COATINGS TECHNOLOGY, 2000, 卷号: 131, 期号: 1-3, 页码: 84 Wang, SB; Liang, H; Zhu, PR 收藏  |  浏览/下载：4/0  |  提交时间：2013/09/24 SI  PHASES   Characteristics of CrSi2 and Cr(Ni)Si-2 synthesis in MEVVA ion source implantation and post-annealing processes 期刊论文 APPLIED SURFACE SCIENCE, 2000, 卷号: 153, 期号: 2-3, 页码: 108 Wang, SB; Liang, H; Zhu, PR 收藏  |  浏览/下载：9/0  |  提交时间：2013/09/17 SI  PHASES   Growth of carbon nanotubes on cobalt disilicide precipitates by chemical vapor deposition 期刊论文 APPLIED PHYSICS LETTERS, 1998, 卷号: 72, 期号: 25, 页码: 3297 Mao, JM; Sun, LF; Qian, LX; Pan, ZW; Chang, BH; Zhou, WY; Wang, G; Xie, SS 收藏  |  浏览/下载：12/0  |  提交时间：2013/09/17 ELECTRONIC-PROPERTIES