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浏览/检索结果: 共2条，第1-2条 帮助 限定条件 专题：物理研究所    第一署名单位    第一作者单位    通讯作者单位     已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 Fabrication of patterned sapphire substrate by wet chemical etching for maskless lateral overgrowth of GaN 期刊论文 JOURNAL OF THE ELECTROCHEMICAL SOCIETY, 2006, 卷号: 153, 期号: 3, 页码: C182 Wang, J; Guo, LW; Jia, HQ; Wang, Y; Xing, ZG; Li, W; Chen, H; Zhou, JM 收藏  |  浏览/下载：20/0  |  提交时间：2013/09/17 INDUCTIVELY-COUPLED PLASMAS  VAPOR-PHASE EPITAXY  GROWTH  DEPOSITION  SILICON  LAYERS   Investigation of characteristics of laterally overgrown GaN on striped sapphire substrates patterned by wet chemical etching 期刊论文 JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH, 2006, 卷号: 290, 期号: 2, 页码: 398 Wang, J; Guo, LW; Jia, HQ; Xing, ZG; Wang, Y; Yan, JF; Yu, NS; Chen, H; Zhou, JM 收藏  |  浏览/下载：13/0  |  提交时间：2013/09/18 X-RAY-DIFFRACTION  DISLOCATION-DENSITY  VAPOR-DEPOSITION  EPITAXY  FILMS  GROWTH  TILT