QQ客服 官方微博 反馈留言

浏览/检索结果: 共5条，第1-5条 帮助 限定条件 专题：物理研究所    第一署名单位    第一作者单位    通讯作者单位     已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 Tunable the emission wavelength of InGaN/GaN multi-quantum wells employing strain-accommodative structures 期刊论文 LED AND DISPLAY TECHNOLOGIES, 2010, 卷号: 7852 Wang, XL; Jia, HQ; Jiang, Y; Ma, ZG; Chen, Y; Xu, PQ; Li, H; He, T; Dai, LG; Chen, H 收藏  |  浏览/下载：18/0  |  提交时间：2013/09/23 MULTIPLE-QUANTUM WELLS  LIGHT-EMITTING-DIODES  LUMINESCENCE   Dependence of implantation-induced damage with photoluminescence intensity in GaN : Er 期刊论文 JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH, 2004, 卷号: 265, 期号: 1-2, 页码: 78 Song, SF; Chen, WD; Zhu, JJ; Hsu, CC 收藏  |  浏览/下载：14/0  |  提交时间：2013/09/17 EMISSION   Influence of the deposition time of barrier layers on optical and structural properties of high-efficiency green-light-emitting InGaN/GaN multiple quantum wells 期刊论文 JOURNAL OF APPLIED PHYSICS, 2004, 卷号: 96, 期号: 4, 页码: 1899 Zheng, XH; Chen, H; Yan, ZB; Li, DS; Yu, HB; Huang, Q; Zhou, JM 收藏  |  浏览/下载：23/0  |  提交时间：2013/09/17 GROWTH INTERRUPTION  TEMPERATURE  PHOTOLUMINESCENCE  EMISSION  INTERFACE  EXCITONS  DIODES  LOCALIZATION  DEPENDENCE  THICKNESS   InGaN/GaN multi-quantum dot light-emitting diodes 期刊论文 JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH, 2004, 卷号: 263, 期号: 1-4, 页码: 114 Ji, LW; Su, YK; Chang, ST; Chang, CS; Wu, LW; Lai, WC; Du, XL; Chen, H 收藏  |  浏览/下载：29/0  |  提交时间：2013/09/18 ASSEMBLED QUANTUM DOTS  MOLECULAR-BEAM EPITAXY  WELL BLUE  GAN  LASER  SEMICONDUCTORS  EMISSION  ISLANDS  GROWTH   Effect of critical thickness on structural and optical properties of InxGa1-xN/GaN multiple quantum wells 期刊论文 JOURNAL OF APPLIED PHYSICS, 2004, 卷号: 95, 期号: 8, 页码: 4362 Lu, W; Li, DB; Li, CR; Shen, F; Zhang, Z 收藏  |  浏览/下载：11/0  |  提交时间：2013/09/17 CRITICAL LAYER THICKNESS  GAN  HETEROSTRUCTURES  PHOTOLUMINESCENCE  RELAXATION  SUBSTRATE  DEFECTS  FILMS