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物理研究所 [36]
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期刊论文 [36]
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2005 [1]
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Influence of the side-Ohmic contact processing on the polarization Coulomb field scattering in AlGaN/AlN/GaN heterostructure field-effect transistors
期刊论文
APPLIED PHYSICS LETTERS, 2012, 卷号: 101, 期号: 11
Luan, CB
;
Lin, ZJ
;
Lv, YJ
;
Meng, LG
;
Yu, YX
;
Cao, ZF
;
Chen, H
;
Wang, ZG
收藏
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浏览/下载:13/0
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提交时间:2013/09/17
MOBILITY
Determination of the series resistance under the Schottky contacts of AlGaN/AlN/GaN Schottky barrier diodes
期刊论文
CHINESE PHYSICS B, 2012, 卷号: 21, 期号: 1
Cao, ZF
;
Lin, ZJ
;
Lu, YJ
;
Luan, CB
;
Yu, YX
;
Chen, H
;
Wang, ZG
收藏
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浏览/下载:17/0
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提交时间:2013/09/17
BREAKDOWN VOLTAGE
GAN
Influence of thermal stress on the characteristic parameters of AlGaN/GaN heterostructure Schottky contacts
期刊论文
CHINESE PHYSICS B, 2011, 卷号: 20, 期号: 4
Lu, YJ
;
Lin, ZJ
;
Zhang, Y
;
Meng, LG
;
Cao, ZF
;
Luan, CB
;
Chen, H
;
Wang, ZG
收藏
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浏览/下载:14/0
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提交时间:2013/09/17
FIELD-EFFECT TRANSISTORS
POLARIZATION
STABILITY
CHARGE
GAN
Influence of thermal stress on the relative permittivity of the AlGaN barrier layer in an AlGaN/GaN heterostructure Schottky contacts
期刊论文
CHINESE PHYSICS B, 2011, 卷号: 20, 期号: 9
Lu, YJ
;
Lin, ZJ
;
Zhang, Y
;
Meng, LG
;
Cao, ZF
;
Luan, CB
;
Chen, H
;
Wang, ZG
收藏
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浏览/下载:14/0
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提交时间:2013/09/18
FIELD-EFFECT TRANSISTORS
Polarization Coulomb field scattering in AlGaN/AlN/GaN heterostructure field-effect transistors
期刊论文
APPLIED PHYSICS LETTERS, 2011, 卷号: 98, 期号: 12
Lv, YJ
;
Lin, ZJ
;
Zhang, Y
;
Meng, LG
;
Luan, CB
;
Cao, ZF
;
Chen, H
;
Wang, ZG
收藏
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浏览/下载:21/0
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提交时间:2013/09/24
2-DIMENSIONAL ELECTRON-GAS
INTERFACIAL LAYER
MOBILITY
Extraction of AlGaN/GaN heterostructure Schottky diode barrier heights from forward current-voltage characteristics
期刊论文
JOURNAL OF APPLIED PHYSICS, 2011, 卷号: 109, 期号: 7
Lv, YJ
;
Lin, ZJ
;
Corrigan, TD
;
Zhao, JZ
;
Cao, ZF
;
Meng, LG
;
Luan, CB
;
Wang, ZG
;
Chen, H
收藏
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浏览/下载:15/0
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提交时间:2013/09/17
FIELD-EFFECT TRANSISTORS
GAN
DEPENDENCE
CONTACTS
STATES
NI
Evaluating AlGaN/AlN/GaN heterostructure Schottky barrier heights with flat-band voltage from forward current-voltage characteristics
期刊论文
APPLIED PHYSICS LETTERS, 2011, 卷号: 99, 期号: 12
Lv, YJ
;
Lin, ZJ
;
Meng, LG
;
Yu, YX
;
Luan, CB
;
Cao, ZF
;
Chen, H
;
Sun, BQ
;
Wang, ZG
收藏
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浏览/下载:13/0
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提交时间:2013/09/17
Preparation and properties of antiperovskite-type nitrides: InNNi3 and InNCO3
期刊论文
JOURNAL OF SOLID STATE CHEMISTRY, 2009, 卷号: 182, 期号: 12, 页码: 3353
Cao, WH
;
He, B
;
Liao, CZ
;
Yang, LH
;
Zeng, LM
;
Dong, C
收藏
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浏览/下载:22/0
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提交时间:2013/09/24
ELECTRONIC-STRUCTURE
PHYSICAL-PROPERTIES
BEHAVIOR
MN3GAN
MGCNI3
GAMNN
DIFFRACTION
MOSSBAUER
MANGANESE
NIFE3N
Syntheses of metal nitrides, metal carbides and rare-earth metal dioxymonocarbodiimides from metal oxides and dicyandiamide
期刊论文
JOURNAL OF ALLOYS AND COMPOUNDS, 2008, 卷号: 460, 期号: 1-2, 页码: 130
Lei, M
;
Zhao, HZ
;
Yang, H
;
Song, B
;
Cao, LZ
;
Li, PG
;
Tang, WH
收藏
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浏览/下载:12/0
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提交时间:2013/09/24
GRAPHITIC CARBON NITRIDE
SOLID-STATE METATHESIS
SURFACE-AREA MO2C
CARBOTHERMAL REDUCTION
REFRACTORY COMPOUNDS
TUNGSTEN CARBIDE
PRECURSORS
GAN
NANOPARTICLES
NANOWIRES
In situ revelation of a zinc-blende InN wetting layer during Stranski-Krastanov growth on GaN(0001) by molecular-beam epitaxy
期刊论文
PHYSICAL REVIEW B, 2005, 卷号: 71, 期号: 15
Cao, YG
;
Xu, SH
;
Lu, W
;
Dai, XQ
;
Chan, YF
;
Wang, N
;
Liu, Y
;
Wu, HS
;
Xie, MH
;
Tong, SY
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浏览/下载:15/0
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提交时间:2013/09/17
TOTAL-ENERGY CALCULATIONS
FUNDAMENTAL-BAND GAP
WAVE BASIS-SET
ELASTIC-CONSTANTS
METALS
GAAS
ALN
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