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浏览/检索结果: 共3条，第1-3条 帮助 限定条件 专题：物理研究所    第一署名单位    第一作者单位    通讯作者单位     已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 Photoluminescence study of Si doping cubic GaN grown on (001) GaAs substrates by molecular beam epitaxy 期刊论文 JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH, 2001, 卷号: 227, 页码: 420 Li, ZQ; Chen, H; Liu, HF; Wan, L; Huang, Q; Zhou, JM 收藏  |  浏览/下载：11/0  |  提交时间：2013/09/24 LIGHT-EMITTING-DIODES  DOPED GAN  POTENTIAL FLUCTUATION  SEMICONDUCTORS   Growth and Si-doping of GaN on GaAs(001) by MBE 期刊论文 FOURTH INTERNATIONAL CONFERENCE ON THIN FILM PHYSICS AND APPLICATIONS, 2000, 卷号: 4086, 页码: 306 Huang, Q; Chen, H; Li, ZQ; Liu, HF; Zhou, JM 收藏  |  浏览/下载：12/0  |  提交时间：2013/09/17 CHEMICAL-VAPOR-DEPOSITION  MOLECULAR-BEAM EPITAXY  DOPED GAN  POTENTIAL FLUCTUATION  CUBIC-GAN  ZINCBLENDE   Epitaxial growth and characterization of oxide thin films 期刊论文 FOURTH INTERNATIONAL CONFERENCE ON THIN FILM PHYSICS AND APPLICATIONS, 2000, 卷号: 4086, 页码: 382 Yang, GZ; Lu, HB; Zhao, T; Chen, F; Chen, ZH 收藏  |  浏览/下载：8/0  |  提交时间：2013/09/17 MOLECULAR-BEAM EPITAXY  BATIO3/SRTIO3 SUPERLATTICES  UNIT-CELL  SRTIO3