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浏览/检索结果: 共1条，第1-1条 帮助 限定条件 专题：西安交通大学    第一署名单位    第一作者单位    通讯作者单位     已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 Switching Transient Analysis for Normally-Off GaN Transistors with p-GaN Gate in a Phase-Leg Circuit 期刊论文 IEEE Transactions on Power Electronics, 2019, 卷号: 34, 页码: 3711-3728 作者:  Xie, Ruiliang;  Yang, Xu;  Xu, Guangzhao;  Wei, Jin;  Wang, Yuru 收藏  |  浏览/下载：28/0  |  提交时间：2019/11/19 Analytical approach  GaN HEMTs  Junction capacitances  Physical behaviors  Schottky junctions  Switching transient  Terminal measurements  Threshold-voltage instabilities