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浏览/检索结果: 共3条，第1-3条 帮助 限定条件 专题：北京大学    第一署名单位    第一作者单位    通讯作者单位     已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 ESD Reliability Improvement of the 0.25-mu m 60-V Power nLDMOS with Discrete Embedded SCRs Separated by STI Structures 其他 2016-01-01 Chen, Shen-Li; Wu, Yi-Cih; Lin, Jia-Ming; Yang, Chih-Hung; Yen, Chih-Ying; Chen, Kuei-Jyun; Chen, Hung-Wei 收藏  |  浏览/下载：4/0  |  提交时间：2017/12/03 Electrostatic discharge (ESD)  N-channel lateral-diffused MOSFET (nLDMOS)  Secondary breakdown current (I-t2)  Shallow-trench isolation (STI)  Silicon-controller rectifier (SCR)   FSD Protection Design for the 45-V pLDMOS-SCR (p-n-p-Arranged) Devices with Source-Discrete Distributions 其他 2016-01-01 Chen, Shen-Li; Huang, Yu-Ting; Yen, Chih-Ying; Chen, Kuei-Jyun; Wu, Yi-Cih; Lin, Jia-Ming; Yang, Chih-Hung 收藏  |  浏览/下载：6/0  |  提交时间：2017/12/03 Electrostatic-discharge (ESD)  Holding voltage (V-h)  p-channel lateral-diffused MOSFET (pLDMOS)  Secondary breakdown-current (I-1/2)  Silicon controlled rectifier (SCR)  Trigger Voltage (V-t1)   Isotropic Silicon Etching With XeF2 Gas for Wafer-Level Micromachining Applications 期刊论文 journal of microelectromechanical systems, 2012 Xu, Dehui; Xiong, Bin; Wu, Guoqiang; Wang, Yuchen; Sun, Xiao; Wang, Yuelin 收藏  |  浏览/下载：4/0  |  提交时间：2015/11/12 Design rule  isotropic etching  microelectromechanical systems (MEMS)  micromachining  wafer level  XeF2 gas  APERTURE SIZE  MEMS  SIMULATION  SENSORS  VAPOR