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浏览/检索结果: 共2条，第1-2条 帮助 限定条件 专题：北京大学    第一署名单位    第一作者单位    通讯作者单位     已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 Modulation of nonlinear resistive switching behavior of a TaOx-based resistive device through interface engineering 期刊论文 NANOTECHNOLOGY, 2017 Wang, Zongwei; Kang, Jian; Yu, Zhizhen; Fang, Yichen; Ling, Yaotian; Cai, Yimao; Huang, Ru; Wang, Yangyuan 收藏  |  浏览/下载：6/0  |  提交时间：2017/12/03 interface engineering  nonvolatile memory  resistive random access memory (RRAM)  resistive switching  nonlinearity  tantalum oxide  BIPOLAR RRAM  THIN-FILM  MEMORY  MECHANISM  ARCHITECTURE  CHALLENGES  ARRAY  MEMRISTOR  BILAYER   Compositional modulation and optical emission in AlGaN epitaxial films 期刊论文 应用物理杂志, 2006 Gao, Min; Bradley, S. T.; Cao, Yu; Jena, D.; Lin, Y.; Ringel, S. A.; Hwang, J.; Schaff, W. J.; Brillson, L. J. 收藏  |  浏览/下载：4/0  |  提交时间：2015/11/12 MOLECULAR-BEAM-EPITAXY  CHEMICAL-VAPOR-DEPOSITION  AL(X)GA1-XN ALLOYS  SEMICONDUCTOR ALLOYS  PHASE-SEPARATION  INGAN ALLOYS  SUPERLATTICES  GROWTH  LAYERS  TERNARY