QQ客服 官方微博 反馈留言

浏览/检索结果: 共11条，第1-10条 帮助 限定条件 专题：厦门大学    第一署名单位    第一作者单位    通讯作者单位     已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 In situ self-release of thick GaN wafer from sapphire substrate via graded strain field engineering 期刊论文 http://dx.doi.org/10.1063/1.4861170, 2014 Lin, Na; Wu, Jiejun; Xu, Hongmei; Liu, Nanliu; Zheng, Tongchang; Lin, Wei; Liu, Chuan; Cai, Duanjun; 蔡端俊 收藏  |  浏览/下载：4/0  |  提交时间：2015/07/22 CHEMICAL-VAPOR-DEPOSITION  PHASE EPITAXY  HIGH-QUALITY  FILMS  GROWTH  SEPARATION  LAYERS  SEMICONDUCTORS  RELAXATION  CRACKING   Role of Ge interlayer in the growth of high-quality strain relaxed SiGe layer with low dislocation density 期刊论文 http://dx.doi.org/10.1016/j.apsusc.2010.10.068, 2011 Chen, Chengzhao; Liao, Linghong; Li, Cheng; Lai, Hongkai; Chen, Songyan; 李成 收藏  |  浏览/下载：4/0  |  提交时间：2013/12/12 VIRTUAL SUBSTRATE  RELAXATION  BUFFERS  FILMS   Role of Ge interlayer in the growth of high-quality strain relaxed SiGe layer with low dislocation density 期刊论文 http://dx.doi.org/10.1016/j.apsusc.2010.10.068, 2011 Chen, C. Z.; Liao, L. H.; Li, C.; Lai, H. K.; Chen, S. Y.; 陈松岩 收藏  |  浏览/下载：3/0  |  提交时间：2013/12/12 VIRTUAL SUBSTRATE  RELAXATION  BUFFERS  FILMS   Thermal stability of SiGe films on an ultra thin Ge buffer layer on Si grown at low temperature 期刊论文 2010 LiCheng; 李成; LaiHongkai; 赖虹凯; ChenSongyan; 陈松岩 收藏  |  浏览/下载：3/0  |  提交时间：2011/04/26 Thermal stability  SiGe  LT-Ge  Strain relaxation   Strain relaxation in SiGe layer during wet oxidation process 期刊论文 http://dx.doi.org/10.1016/j.apsusc.2008.10.022, 2009 Zhang, Y.; Cai, K. H.; Li, C.; Chen, S. Y.; Lai, H. K.; Kang, J. Y.; 康俊勇 收藏  |  浏览/下载：2/0  |  提交时间：2013/12/12 HIGH GE FRACTION  ON-INSULATOR  SILICON  DRY  ENHANCEMENT  MOSFETS  AMBIENT   Strain Relaxation in Ultrathin SGOI Substrates Fabricated by Multistep Ge Condensation Method 期刊论文 http://dx.doi.org/10.1149/1.3033393, 2009 Zhang, Y; Cai, K; Li, C; Chen, SY; Lai, HK; Kang, JY; 李成 收藏  |  浏览/下载：2/0  |  提交时间：2013/12/12 OXIDATION  TECHNOLOGY  MOBILITY  ALLOYS  LAYER   Strain relaxation in SiGe layer during wet oxidation process 期刊论文 http://dx.doi.org/10.1016/j.apsusc.2008.10.022, 2009 Zhang, Y; Cai, KH; Li, C; Chen, SY; Lai, HK; Kang, JY; 李成 收藏  |  浏览/下载：3/0  |  提交时间：2013/12/12 HIGH GE FRACTION  ON-INSULATOR  SILICON  DRY  ENHANCEMENT  MOSFETS  AMBIENT   Strain Relaxation in Ultrathin SGOI Substrates Fabricated by Multistep Ge Condensation Method 期刊论文 http://dx.doi.org/10.1149/1.3033393, 2009 Zhang, Y.; Cai, K.; Li, C.; Chen, S. Y.; Lai, H. K.; Kang, J. Y.; 陈松岩 收藏  |  浏览/下载：2/0  |  提交时间：2013/12/12 OXIDATION  TECHNOLOGY  MOBILITY  ALLOYS  LAYER   Strain relaxation in SiGe layer during wet oxidation process 期刊论文 http://dx.doi.org/10.1016/j.apsusc.2008.10.022, 2009 Zhang, Y.; Cai, K. H.; Li, C.; Chen, S. Y.; Lai, H. K.; Kang, J. Y.; 陈松岩 收藏  |  浏览/下载：3/0  |  提交时间：2013/12/12 HIGH GE FRACTION  ON-INSULATOR  SILICON  DRY  ENHANCEMENT  MOSFETS  AMBIENT   Strain Relaxation in Ultrathin SGOI Substrates Fabricated by Multistep Ge Condensation Method 期刊论文 http://dx.doi.org/10.1149/1.3033393, 2009 Zhang, Y.; Cai, K.; Li, C.; Chen, S. Y.; Lai, H. K.; Kang, J. Y.; 康俊勇 收藏  |  浏览/下载：1/0  |  提交时间：2013/12/12 OXIDATION  TECHNOLOGY  MOBILITY  ALLOYS  LAYER