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科研机构
厦门大学 [20]
内容类型
期刊论文 [19]
学位论文 [1]
发表日期
2014 [1]
2013 [2]
2012 [2]
2011 [1]
2009 [6]
2008 [3]
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专题:厦门大学
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20
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65
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80
85
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发表日期升序
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Non-homogeneous SiGe-on-insulator formed by germanium condensation process
期刊论文
http://dx.doi.org/10.1088/1674-1056/23/4/048109, 2014
Huang, Shi-Hao
;
Li, Cheng
;
Lu, Wei-Fang
;
Wang, Chen
;
Lin, Guang-Yang
;
Lai, Hong-Kai
;
Chen, Song-Yan
;
李成
;
赖虹凯
;
陈松岩
收藏
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浏览/下载:3/0
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提交时间:2015/07/22
Condensation
Germanium
Silicon alloys
Silicon on insulator technology
Transmission electron microscopy
Lateral Ge segregation and strain evolution in SiGe alloys during the formation of nickel germano-silicide on a relaxed Si073Ge 027 epilayer
期刊论文
http://dx.doi.org/10.1063/1.4813778, 2013
Tang, Mengrao
;
Lin, Guangyang
;
Li, Cheng
;
Wang, Chen
;
Zhang, Maotian
;
Huang, Wei
;
Lai, Hongkai
;
Chen, Songyan
;
李成
;
赖虹凯
;
陈松岩
收藏
  |  
浏览/下载:61/0
  |  
提交时间:2015/07/22
Epilayers
Grain boundaries
Nickel
Silicides
Silicon
Silicon alloys
Lateral Ge segregation and strain evolution in SiGe alloys during the formation of nickel germano-silicide on a relaxed Si073Ge027 epilayer
期刊论文
http://dx.doi.org/10.1063/1.4813778, 2013
Tang, Mengrao
;
Lin, Guangyang
;
Li, Cheng
;
Wang, Chen
;
Zhang, Maotian
;
Huang, Wei
;
Lai, Hongkai
;
Chen, Songyan
;
李成
;
黄巍
;
陈松岩
收藏
  |  
浏览/下载:2/0
  |  
提交时间:2015/07/22
FILMS
NI
A Study of the Schottky-Barrier Height of Nickel Germanosilicide Contacts Formed on Si1-xGex Epilayer on Si Substrates
期刊论文
2012
Tang, Mengrao
;
Li, Cheng
;
Wu, Zheng
;
Liu, Guanzhou
;
Huang, Wei
;
Lai, Hongkai
;
Chen, Songyan
;
陈松岩
收藏
  |  
浏览/下载:60/0
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提交时间:2013/01/25
Nickel alloys
Schottky-barrier height (SBH)
silicon-germanium
A study of the schottky-barrier height of nickel germanosilicide contacts formed on Si1-xGex epilayer on Si substrates
期刊论文
http://dx.doi.org/10.1109/TED.2012.2202287, 2012
Tang, Mengrao
;
Li, Cheng
;
Wu, Zheng
;
Liu, Guanzhou
;
Huang, Wei
;
Lai, Hongkai
;
Chen, Songyan
;
李成
;
黄巍
;
赖虹凯
;
陈松岩
收藏
  |  
浏览/下载:5/0
  |  
提交时间:2015/07/22
Electric properties
Epilayers
Germanium
Interfaces (materials)
Nickel
Nickel alloys
Silicon
Substrates
III族氮化物应变量子结构及其特性调控
学位论文
2011, 2010
林伟
收藏
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浏览/下载:2/0
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提交时间:2016/02/14
III族氮化物半导体
应变调控
MOVPE技术
量子能级
第一性原理
III-nitride semiconductors
Strain modification
MOVPE technique
p-type doping
Quantized level
The first-principles calculation
Experimental evidence of oxidant-diffusion-limited oxidation of SiGe alloys
期刊论文
http://dx.doi.org/10.1063/1.3191382, 2009
Zhang, Y
;
Li, C
;
Cai, KH
;
Chen, YH
;
Chen, SY
;
Lai, HK
;
Kang, JY
;
李成
收藏
  |  
浏览/下载:3/0
  |  
提交时间:2013/12/12
HIGH-GE FRACTION
THERMAL-OXIDATION
WET OXIDATION
SILICON
DRY
FABRICATION
SUBSTRATE
ULTRATHIN
BEHAVIOR
AMBIENT
Experimental evidence of oxidant-diffusion-limited oxidation of SiGe alloys
期刊论文
http://dx.doi.org/10.1063/1.3191382, 2009
Zhang, Y.
;
Li, C.
;
Cai, K. H.
;
Chen, Y. H.
;
Chen, S. Y.
;
Lai, H. K.
;
Kang, J. Y.
;
康俊勇
收藏
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浏览/下载:3/0
  |  
提交时间:2013/12/12
HIGH-GE FRACTION
THERMAL-OXIDATION
WET OXIDATION
SILICON
DRY
FABRICATION
SUBSTRATE
ULTRATHIN
BEHAVIOR
AMBIENT
Experimental evidence of oxidant-diffusion-limited oxidation of SiGe alloys
期刊论文
http://dx.doi.org/10.1063/1.3191382, 2009
Zhang, Y.
;
Li, C.
;
Cai, K. H.
;
Chen, Y. H.
;
Chen, S. Y.
;
Lai, H. K.
;
Kang, J. Y.
;
陈松岩
收藏
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浏览/下载:4/0
  |  
提交时间:2013/12/12
HIGH-GE FRACTION
THERMAL-OXIDATION
WET OXIDATION
SILICON
DRY
FABRICATION
SUBSTRATE
ULTRATHIN
BEHAVIOR
AMBIENT
Room temperature photoluminescence of tensile-strained Ge/Si013Ge087 quantum wells grown on silicon-based germanium virtual substrate
期刊论文
http://dx.doi.org/10.1063/1.3114408, 2009
Chen, YH
;
Li, C
;
Zhou, ZW
;
Lai, HK
;
Chen, SY
;
Ding, WC
;
Cheng, BW
;
Yu, YD
;
李成
;
陈松岩
收藏
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浏览/下载:5/0
  |  
提交时间:2015/07/22
chemical vapour deposition
elemental semiconductors
energy gap
germanium
Ge-Si alloys
photoluminescence
semiconductor epitaxial layers
semiconductor quantum wells
silicon
tensile strength
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