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浏览/检索结果: 共8条，第1-8条 帮助 限定条件 专题：厦门大学    第一署名单位    第一作者单位    通讯作者单位     已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 Trends in bonding configuration at SiC/III-V semiconductor interfaces 期刊论文 2001 Zheng, JC; Wang, HQ; Wee, ATS; Huan, CHA; 王惠琼 收藏  |  浏览/下载：3/0  |  提交时间：2013/12/12 ELECTRONIC-STRUCTURE  BAND OFFSETS  SIC(001) SURFACE  STABILITY  DIAMOND  ALLOYS  GAN   Electronic structure of InAsxP1-x/InP strained quantum wires 期刊论文 http://dx.doi.org/10.1088/0256-307X/15/8/018, 1998 He, G. M.; Li, K. H.; Wang, R. Z.; Zheng, Y. M.; 李开航 收藏  |  浏览/下载：1/0  |  提交时间：2013/12/12 EFFECTIVE-MASS THEORY  WELLS   Electronic structure of InAsxP1-x/InP strained quantum wires 期刊论文 http://dx.doi.org/10.1088/0256-307X/15/8/018, 1998 He, G. M.; Li, K. H.; Wang, R. Z.; Zheng, Y. M.; 何国敏 收藏  |  浏览/下载：1/0  |  提交时间：2013/12/12 EFFECTIVE-MASS THEORY  WELLS   AB-INITIO STUDIES ON THE ELECTRONIC-STRUCTURES OF STRAINED-LAYER SUPERLATTICES (INAS)(N)(INP)(N)(001), (N=1-5) 期刊论文 http://dx.doi.org/10.1063/1.358717, 1995 Ke, S. H.; Wang, R. Z.; Huang, M. C.; 黄美纯 收藏  |  浏览/下载：2/0  |  提交时间：2013/12/12 BAND OFFSETS  INP  STABILITY   VALENCE-BAND OFFSETS AND BAND TAILORING IN COMPOUND STRAINED-LAYER SUPERLATTICES 期刊论文 http://dx.doi.org/10.1103/PhysRevB.49.10495, 1994 Ke, S. H.; Wang, R. Z.; Huang, M. C.; 黄美纯 收藏  |  浏览/下载：2/0  |  提交时间：2013/12/12 SEMICONDUCTOR HETEROJUNCTIONS  DEFORMATION POTENTIALS  ELECTRONIC-STRUCTURE  SPECTROSCOPY  INTERFACES  LINEUPS  INP   应变层半导体超晶格价带边不连续性的第一原理研究 期刊论文 1994 柯三黄; 王仁智; 黄美纯 收藏  |  浏览/下载：4/0  |  提交时间：2011/06/24 应变层超晶格(InAs)_n(InP)_n(001)电子结构的LMTO计算 期刊论文 1993 柯三黄; 王仁智; 黄美纯 收藏  |  浏览/下载：4/0  |  提交时间：2011/06/27 应变层超晶格InAs/InP界面的平均键能行为与价带边不连续性 期刊论文 1993 柯三黄; 王仁智; 黄美纯 收藏  |  浏览/下载：1/0  |  提交时间：2011/06/27