×
验证码:
换一张
忘记密码?
记住我
CORC
首页
科研机构
检索
知识图谱
申请加入
托管服务
登录
注册
在结果中检索
科研机构
半导体研究所 [43]
苏州纳米技术与纳米仿... [3]
高能物理研究所 [3]
厦门大学 [2]
物理研究所 [2]
大连理工大学 [2]
更多...
内容类型
期刊论文 [57]
发表日期
2020 [1]
2019 [1]
2018 [1]
2015 [4]
2012 [1]
2011 [1]
更多...
学科主题
光电子学 [10]
半导体材料 [8]
半导体物理 [6]
Spectrosco... [1]
半导体化学 [1]
×
知识图谱
CORC
开始提交
已提交作品
待认领作品
已认领作品
未提交全文
收藏管理
QQ客服
官方微博
反馈留言
浏览/检索结果:
共57条,第1-10条
帮助
限定条件
内容类型:期刊论文
已选(
0
)
清除
条数/页:
5
10
15
20
25
30
35
40
45
50
55
60
65
70
75
80
85
90
95
100
排序方式:
请选择
作者升序
作者降序
题名升序
题名降序
发表日期升序
发表日期降序
提交时间升序
提交时间降序
Suppression of substrate mode in GaN-based green laser diodes
期刊论文
Optics Express, 2020, 卷号: 28, 期号: 10, 页码: 15497-15504
作者:
Jiang, Lingrong
;
Liu, Jianping
;
Zhang, Liqun
;
Qiu, Bocang
;
Tian, Aiqin
收藏
  |  
浏览/下载:18/0
  |  
提交时间:2020/05/28
Theoretical Investigation on Electron Mobility in AlInGaN/InGaN Heterostructures
期刊论文
2019, 卷号: 256
作者:
Li, Yao
收藏
  |  
浏览/下载:2/0
  |  
提交时间:2019/12/20
mobility
scattering mechanisms
two-dimensional electron gas
temperature
Unintentional incorporation of Ga in the nominal AlN spacer of AlInGaN/AlN/GaN Heterostructure
期刊论文
JOURNAL OF PHYSICS D-APPLIED PHYSICS, 2018
作者:
Dai, Shujun(戴淑君)
;
Gao, Hongwei(高宏伟)
;
Zhou, Yu(周宇)
;
Zhong, Yaozong
;
Wang, Jin
收藏
  |  
浏览/下载:60/0
  |  
提交时间:2019/03/27
Utilization of polarization-inverted AlInGaN or relatively thinner AlGaN electron blocking layer in InGaN-based blue-violet laser diodes
期刊论文
JOURNAL OF VACUUM SCIENCE & TECHNOLOGY B, 2015, 卷号: 33, 期号: 1, 页码: 5
作者:
Le, LC
;
Zhao, DG
;
Jiang, DS
;
Chen, P
;
Liu, ZS
收藏
  |  
浏览/下载:7/0
  |  
提交时间:2015/12/31
Utilization of polarization-inverted AlInGaN or relatively thinner AlGaN electron blocking layer in InGaN-based blue–violet laser diodes
期刊论文
JOURNAL OF VACUUM SCIENCE & TECHNOLOGY B, 2015, 卷号: 33, 期号: 1, 页码: 011209
Lingcong Le
;
Degang Zhao
;
Desheng Jiang
;
Ping Chen
;
Zongshun Liu
;
Jianjun Zhu
;
Jing Yang
;
Xiaojing Li
;
Xiaoguang He
;
Jianping Liu
;
Shuming Zhang
;
Hui Yang
收藏
  |  
浏览/下载:16/0
  |  
提交时间:2016/03/23
Enhanced carrier localization in near-ultraviolet multiple quantum wells using quaternary AlInGaN as the well layers
期刊论文
RSC ADVANCES, 2015, 卷号: 5, 页码: 33892-33896
作者:
Liu, Tong
;
Jiao, Shujie
;
Liang, Hongwei
;
Yang, Tianpeng
;
Wang, Dongbo
收藏
  |  
浏览/下载:3/0
  |  
提交时间:2019/12/09
Radiative recombination mechanism of carriers in InGaN/AlInGaN multiple quantum wells with varying aluminum content
期刊论文
JOURNAL OF ALLOYS AND COMPOUNDS, 2015, 卷号: 621, 页码: 12-17
作者:
Liu, Tong
;
Jiao, Shujie
;
Wang, Dongbo
;
Gao, Shiyong
;
Yang, Tianpeng
收藏
  |  
浏览/下载:6/0
  |  
提交时间:2019/12/09
AlInGaN quaternary alloy
Multiple quantum wells
Recombination mechanism
Temperature-dependent
photoluminescence
Localized effect
Conduction Band Offset of InGaN/AlInGaN Quantum Wells Studied by Deep Level Transient Spectroscopic Technique
期刊论文
applied physics express, 2012, 卷号: 5, 期号: 9, 页码: 091001
Lu LW (Lu, Liwu)
;
Su SC (Su, Shichen)
;
Ling CC (Ling, Chi-Chung)
;
Xu SJ (Xu, Shijie)
;
Zhao DG (Zhao, Degang)
;
Zhu JJ (Zhu, Jianjun)
;
Yang H (Yang, Hui)
;
Wang JN (Wang, Jiannong)
;
Gey WK (Gey, Weikun)
收藏
  |  
浏览/下载:18/0
  |  
提交时间:2013/04/02
Characteristics of high al content algan grown by pulsed atomic layer epitaxy
期刊论文
Applied surface science, 2011, 卷号: 257, 期号: 20, 页码: 8718-8721
作者:
Pan, Xu
;
Wang, Xiaoliang
;
Xiao, Hongling
;
Wang, Cuimei
;
Yang, Cuibai
收藏
  |  
浏览/下载:173/0
  |  
提交时间:2019/05/12
Photoluminescence
Raman scattering
Pulsed atomic layer epitaxy
Algan alloys
Epitaxial growth of alingan quaternary alloys by rf-mbe
期刊论文
Journal of inorganic materials, 2009, 卷号: 24, 期号: 3, 页码: 559-562
作者:
Wang Bao-Zhu
;
Wang Xiao-Liang
收藏
  |  
浏览/下载:21/0
  |  
提交时间:2019/05/12
Alingan
Rf-mbe
Structural properties
Optical properties
©版权所有 ©2017 CSpace - Powered by
CSpace