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科研机构
新疆理化技术研究所 [3]
上海大学 [3]
内容类型
期刊论文 [6]
发表日期
2021 [1]
2019 [1]
2012 [1]
2008 [1]
2007 [1]
2006 [1]
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高能质子辐照导致电荷耦合器件性能退化研究
期刊论文
现代应用物理, 2021, 卷号: 12, 期号: 3, 页码: 147-152
作者:
李钰1
;
文林2
;
周东2
;
李豫东2
;
郭旗2
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浏览/下载:28/0
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提交时间:2021/11/29
高能质子
位移损伤效应
电荷耦合器件
非电离能损
热像素
高注量1 MeV电子辐照下InGaAs单结太阳电池退化规律与机制
期刊论文
发光学报, 2019, 卷号: 40, 期号: 9, 页码: 1115-1122
作者:
慎小宝
;
李豫东
;
玛丽娅·黑尼
;
赵晓凡
;
莫敏·赛来
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  |  
浏览/下载:50/0
  |  
提交时间:2019/11/27
InGaAs单结太阳电池
高注量电子
位移损伤
载流子寿命
载流子去除效应
半导体材料电子非电离能损的分析法计算
期刊论文
核电子学与探测技术, 2012, 卷号: 32, 期号: 7, 页码: 820-825
作者:
于新
;
何承发
;
郭旗
;
张兴尧
;
吴雪
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浏览/下载:39/0
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提交时间:2013/05/16
非电离能损
mott散射截面
林哈德因子
分子动力学模型
低能质子在半导体材料Si 和GaAs中的非电离能损研究
期刊论文
物理学报, 2008, 卷号: 57, 页码: 1266-1270
作者:
Tang Xin-Xin[1]
;
Luo Wen-Yun[2]
;
Wang Chao-Zhuang[3]
;
He Xin-Fu[4]
;
Zha Yuan-Zi[5]
收藏
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浏览/下载:11/0
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提交时间:2019/05/06
低能质子
非电离能损
硅
砷化镓
太阳同步轨道电子与质子对卫星的电离和非电离能损
期刊论文
清华大学学报(自然科学版), 2007, 卷号: 47, 页码: 1013-1017
作者:
王传珊[1]
;
王朝壮[2]
;
罗文芸[3]
;
查元梓[4]
;
唐欣欣[5]
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浏览/下载:4/0
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提交时间:2019/05/10
非电离能损
电子
质子
屏蔽
Monte Carlo方法
中能质子在Si和GaAs中导致的非电离能损研究
期刊论文
高能物理与核物理, 2006, 卷号: 30, 页码: 1088-1090
作者:
罗文芸[1]
;
王朝壮[2]
;
贺新福[3]
;
樊胜[4]
;
黄小龙[5]
收藏
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浏览/下载:3/0
  |  
提交时间:2019/05/10
质子
非电离能损
硅
砷化镓
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