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浏览/检索结果: 共9条，第1-9条 帮助 限定条件 内容类型：期刊论文    专题：半导体研究所    第一署名单位    第一作者单位    通讯作者单位     已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 Application of Raman spectroscopy in carbon nanotube-based polymer composites 期刊论文 chinese science bulletin, 2010, 卷号: 55, 期号: 35, 页码: 3978-3988 作者:  Tan PH 收藏  |  浏览/下载：101/2  |  提交时间：2011/07/05 Raman spectroscopy  carbon nanotube  composites  CNT macroarchitecture  RADIAL BREATHING MODE  DIAMETER DISTRIBUTION  WALL  SCATTERING  FIBERS  SENSORS  STRESS  FUNCTIONALIZATION  NANOCOMPOSITES  OXIDATION   The effect of growth temperature on structural quality of GaN/AlN quantum wells by metal-organic chemical vapour deposition 期刊论文 journal of physics d-applied physics, 2008, 卷号: 41, 期号: 10, 页码: art. no. 105106 Ma, ZF; Zhao, DG; Wang, YT; Jiang, DS; Zhang, SM; Zhu, JJ; Liu, ZS; Sun, BJ; Yang, H; Liang, JW 收藏  |  浏览/下载：51/3  |  提交时间：2010/03/08 INTERSUBBAND ABSORPTION  MU-M  ALGAN  GAN  INTERLAYERS  MOVPE  ALN   Evolution of ge and sige quantum dots under excimer laser annealing 期刊论文 Chinese physics letters, 2008, 卷号: 25, 期号: 1, 页码: 242-245 作者:  Han Gen-Quan;  Zeng Yu-Gang;  Yu Jin-Zhong;  Cheng Bu-Wen;  Yang Hai-Tao 收藏  |  浏览/下载：13/0  |  提交时间：2019/05/12 Evolution of Ge and SiGe quantum dots under excimer laser annealing 期刊论文 chinese physics letters, 2008, 卷号: 25, 期号: 1, 页码: 242-245 Han GQ; Zeng YG; Yu JZ; Cheng BW; Yang HT 收藏  |  浏览/下载：81/2  |  提交时间：2010/03/08 Interfaces in heterostructures of alingan/gan/al2o3 期刊论文 Superlattices and microstructures, 2006, 卷号: 39, 期号: 5, 页码: 429-435 作者:  Zhou, SQ;  Wu, MF;  Yao, SD;  Liu, JP;  Yang, H 收藏  |  浏览/下载：23/0  |  提交时间：2019/05/12 Nitride semiconductors  Interface  Rutherford backscattering/channeling  Transmission electron microscopy  X-ray diffraction   Interfaces in heterostructures of AlInGaN/GaN/Al2O3 期刊论文 superlattices and microstructures, 2006, 卷号: 39, 期号: 5, 页码: 429-435 Zhou SQ; Wu MF; Yao SD; Liu JP; Yang H 收藏  |  浏览/下载：45/0  |  提交时间：2010/04/11 nitride semiconductors  interface  Rutherford backscattering/channeling  transmission electron microscopy  x-ray diffraction  SUPER-LATTICES  STRAIN  GAN   Structural characterization of AlGaN/GaN superlattices by x-ray diffraction and Rutherford backscattering 期刊论文 superlattices and microstructures, 2006, 卷号: 40, 期号: 3, 页码: 137-143 Zhou SQ (Zhou Shengqiang); Wu MF (Wu M. F.); Yao SD (Yao S. D.); Zhang BS (Zhang B. S.); Yang H (Yang H.) 收藏  |  浏览/下载：24/0  |  提交时间：2010/04/11 nitride semiconductors  superlattice  Rutherford backscattering/channeling  transmission electron microscopy  x-ray diffraction  MULTIPLE-QUANTUM WELLS  OPTICAL-PROPERTIES  INGAN/GAN  STRAIN  INTERFACE  GROWTH  GAN   Influence of semi-insulating inp substrates on inalas epilayers grown by molecular beam epitaxy 期刊论文 Journal of crystal growth, 2003, 卷号: 250, 期号: 3-4, 页码: 364-369 作者:  Dong, HW;  Zhao, YW;  Zeng, YP;  Jiao, JH;  Li, JM 收藏  |  浏览/下载：16/0  |  提交时间：2019/05/12 Diffusion  Interfaces  Substrates  Molecular beam epitaxy  Phosphides  Semiconducting indium phosphide   Influence of semi-insulating InP substrates on InAlAs epilayers grown by molecular beam epitaxy 期刊论文 journal of crystal growth, 2003, 卷号: 250, 期号: 3-4, 页码: 364-369 Dong HW; Zhao YW; Zeng YP; Jiao JH; Li JM; Lin LY 收藏  |  浏览/下载：45/0  |  提交时间：2010/08/12 diffusion  interfaces  substrates  molecular beam epitaxy  phosphides  semiconducting indium phosphide  UNDOPED SEMIINSULATING INP  CHEMICAL-VAPOR-DEPOSITION  PHOSPHIDE VAPOR  FE  INTERFACE  PHOTOLUMINESCENCE  WAFER  UNIFORMITY  DIFFUSION  PRESSURE