QQ客服 官方微博 反馈留言

浏览/检索结果: 共6条，第1-6条 帮助 限定条件 内容类型：期刊论文    专题：微电子研究所    第一署名单位    第一作者单位    通讯作者单位     已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 高迁移率In0.6Ga0.4As 沟道MOSHEMT与MOSFET器件特性的研究 期刊论文 物理学报, 2012 作者:  卢力;  常虎东;  孙兵;  刘洪刚 收藏  |  浏览/下载：3/0  |  提交时间：2013/11/01 具有场板结构的AlGaN／GaN HEMT的直流特性 期刊论文 半导体学报, 2008, 卷号: 29, 期号: 3, 页码: 5，554-558 作者:  魏珂;  刘新宇;  和致经;  吴德馨 收藏  |  浏览/下载：6/0  |  提交时间：2010/05/27 Algan／gan  高迁移率晶体管  肖特基特性  击穿电压  场板结构   基于国产外延材料的SiC基AlGaN/GaN HEMT器件研制 期刊论文 电子器件, 2007, 卷号: 30, 期号: 3, 页码: 4,738_740 作者:  刘新宇;  李诚瞻;  陈晓娟;  罗卫军 收藏  |  浏览/下载：4/0  |  提交时间：2010/05/26 Sic  Algan/gan Hemt  自热效应  外延材料   MOCVD生长的SiC衬底高迁移率GaN沟道层AlGaN／AlN／GaN HEMT结构 期刊论文 半导体学报, 2006, 卷号: 27, 期号: 9, 页码: 1521-1525 作者:  李晋闽;  王占国;  王晓亮;  胡国新;  马志勇 收藏  |  浏览/下载：9/0  |  提交时间：2010/05/26 Algan／gan  高电子迁移率管  Mocvd  功率器件  碳化硅衬底   输出功率密度为2．23W／mm的X波段AlGaN／GaN功率HEMT器件 期刊论文 半导体学报, 2005, 卷号: 26, 期号: 10, 页码: 6，1865-1870 作者:  李晋闽;  王晓亮;  刘新宇;  胡国新;  王军喜 收藏  |  浏览/下载：6/0  |  提交时间：2010/05/26 Algan／gan  高电子迁移率晶体管  Mocvd  功率器件   TiN栅薄膜全耗尽SOI CMOS器件 期刊论文 半导体学报, 2005, 卷号: 26, 期号: 1, 页码: 5，6-10 作者:  连军;  海潮和 收藏  |  浏览/下载：6/0  |  提交时间：2010/05/26 Fdsoi  Cmos  中间禁带功函数  Tin