中国开放科研知识云: 检索

验证码:

换一张

忘记密码？记住我

取消登录

CORC

首页
科研机构
检索
知识图谱
申请加入
托管服务

在结果中检索

科研机构

北京大学 [48]

厦门大学 [1]

内容类型

其他 [49]

发表日期

知识图谱

CORC

已提交作品

待认领作品

已认领作品

未提交全文

浏览/检索结果: 共49条，第1-10条

帮助

限定条件

内容类型：其他

已选(0)清除条数/页：排序方式：
	AN ADVECTIVE-SPECTRAL-MIXED METHOD FOR TIME-DEPENDENT MANY-BODY WIGNER SIMULATIONS 其他 2016-01-01 Xiong, Yunfeng; Chen, Zhenzhu; Shao, Sihong 收藏 \| 浏览/下载：8/0 \| 提交时间：2017/12/03 many-body Wigner equation semi-Lagrangian method Pauli exclusion principle Chebyshev spectral method Adams multistep scheme quantum transport PHASE-SPACE NUMERICAL-SIMULATION QUANTUM EQUATION EQUILIBRIUM TRANSPORT STATES
	Scaling Up Physical Design: Challenges and Opportunities 其他 2016-01-01 Luo, Guojie; Zhang, Wentai; Zhang, Jiaxi; Cong, Jason 收藏 \| 浏览/下载：5/0 \| 提交时间：2017/12/03 Physical Design Detailed Placement FPGA TCL Distributed Computing Spark ALGORITHM
	Simulation and comparative study of tunneling field effect transistors with dopant-segregated Schottky source/drain 其他 2016-01-01 Zhang, Yi Bo; Sun, Lei; Xu, Hao; Han, Jing Wen 收藏 \| 浏览/下载：5/0 \| 提交时间：2017/12/03 BARRIER MOSFETS REDUCTION DEVICES LEAKAGE HEIGHT DESIGN MODEL
	Performance Evaluation and Optimization of Single Layer MoS2 Double Gate Transistors with metallic contacts 其他 2016-01-01 Zeng, Lang; Gong, Fanghui; Nan, Jiang; Huang, Yangqi; Zhang, He; Liu, Xiaoyan; Zhang, Youguang; Zhao, Weisheng 收藏 \| 浏览/下载：3/0 \| 提交时间：2017/12/03
	Correlation between gate length, geometry and electrostatic driven performance in ultra-scaled silicon nanowire transistors 其他 2015-01-01 Al-Ameri, Talib; Wang, Y.; Georgiev, V.P.; Adamu-Lema, F.; Wang, X.; Asenov, A. 收藏 \| 浏览/下载：4/0 \| 提交时间：2017/12/03
	Influence of quantum confinement effects over device performance in circular and elliptical silicon nanowire transistors 其他 2015-01-01 Georgiev, V. P.; Ali, T.; Wang, Y.; Gerrer, L.; Amoroso, S. M.; Asenov, Asen 收藏 \| 浏览/下载：5/0 \| 提交时间：2017/12/03 nanowires simulations quantum effects scalling of tranistors CMOS devices
	Influence of quantum confinement effects over device performance in circular and elliptical silicon nanowire transistors 其他 2015-01-01 Georgiev, V.P.; Ali, T.; Wang, Y.; Gerrer, L.; Amoroso, S.M.; Asenov, Asen 收藏 \| 浏览/下载：6/0 \| 提交时间：2017/12/03
	Correlation between Gate Length, Geometry and Electrostatic Driven Performance in Ultra-Scaled Silicon Nanowire Transistors 其他 2015-01-01 Al-Ameri, Talib; Wang, Y.; Georgiev, V. P.; Adamu-Lema, F.; Wang, X.; Asenov, A. 收藏 \| 浏览/下载：5/0 \| 提交时间：2017/12/03 CMOS electrostatics nanowire transistors performance quantum effects TCAD
	Comparative study of silicon nanowire transistors with triangular-shaped cross sections 其他 2015-01-01 Zhang, Yi-Bo; Sun, Lei; Xu, Hao; Han, Jing-Wen; Wang, Yi; Zhang, Sheng-Dong 收藏 \| 浏览/下载：6/0 \| 提交时间：2017/12/04 SCHOTTKY-BARRIER SOURCE/DRAIN MOSFET PERFORMANCE SIMULATION FINFETS LEAKAGE
	New concept of planar germanium MOSFET with stacked germanide layers at source/drain 其他 2015-01-01 Xu, Hao; Sun, Lei; Zhang, Yi-Bo; Han, Jing-Wen; Wang, Yi; Zhang, Sheng-Dong 收藏 \| 浏览/下载：5/0 \| 提交时间：2017/12/04 HIGH-KAPPA GATE SCHOTTKY SOURCE/DRAIN METAL GATE MOBILITY CONTACTS SI TECHNOLOGY TRANSISTOR SUBSTRATE PMOSFETS

相关链接
欧盟学术资源开放存取平台
CALIS高校机构知识库
台湾学术机构典藏
香港机构知识库整合系统
中国科学院机构知识库网格系统

CORC
关于我们
服务条款
隐私条款

联系我们
0931-8270076
cspace@llas.ac.cn
China-OR

中文简体

©版权所有 ©2017 CSpace - Powered by CSpace