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微电子研究所 [1]
华南理工大学 [1]
湖南大学 [1]
内容类型
会议论文 [3]
发表日期
2013 [1]
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Channel Hot-Carrier Degradation Characteristics and Trap Activities of High-k/Metal Gate nMOSFETs
会议论文
作者:
Wang WW(王文武)
;
Luo WC(罗维春)
;
Yang H(杨红)
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提交时间:2014/10/30
NOVEL VOLTAGE STEP STRESS (VSS) TECHNIQUE FOR FAST LIFETIME PREDICTION OF HOT CARRIER DEGRADATION (CPCI-S收录)
会议论文
2014 12TH IEEE INTERNATIONAL CONFERENCE ON SOLID-STATE AND INTEGRATED CIRCUIT TECHNOLOGY (ICSICT)
作者:
Feng, Xixiang[1,2]
;
Ren, Pengpeng[1]
;
Ji, Zhigang[3]
;
Wang, Runsheng[1]
;
Sutaria, Ketul B.[4]
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提交时间:2019/04/12
Duty-cycle-accelerated hot-carrier degradation and lifetime evaluation for 700V lateral DMOS
会议论文
2018 IEEE 30th International Symposium on Power Semiconductor Devices and ICs (ISPSD), Chicago, IL, USA, 2018
作者:
Siyang Liu
;
Zhichao Li
;
Wangran Wu
;
Weifeng Sun
;
Shulang Ma
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提交时间:2019/12/25
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