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半导体研究所 [6]
内容类型
会议论文 [6]
发表日期
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2003 [1]
2002 [1]
2001 [1]
1999 [1]
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内容类型:会议论文
专题:半导体研究所
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Effect of SiO2 encapsulation on the nitrogen reorganization in GaNAs/GaAs single quantum well
会议论文
asia-pacific optical and wireless communications conference (apoc 2003), wuhan, peoples r china, nov 04-06, 2003
Ying-Qiang X
;
Zhang W
;
Niu ZC
;
Wu RG
;
Wang QM
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浏览/下载:16/1
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提交时间:2010/10/29
GaNAs
SiO2 encapsulation
rapid-thermal-annealing
nitrogen reorganization
MOLECULAR-BEAM EPITAXY
OPTICAL-PROPERTIES
MU-M
Hydrogen related defects in neutron-irradiated silicon grown in hydrogen ambient
会议论文
iumrs/icem 2002 conference, xian, peoples r china, jun 10-14, 2002
Wang QY
;
Wang JH
;
Deng HF
;
Lin LY
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浏览/下载:17/0
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提交时间:2010/11/15
neutron irradiation
annealing
defects in silicon
SPECTRA
Characterization of defects and whole wafer uniformity of annealed undoped semi-insulating InP wafers
会议论文
9th international conference on defects: recognition, imaging and physics in semiconductors (drip ix), rimini, italy, sep 24-28, 2001
Zhao YW
;
Sun NF
;
Dong HW
;
Jiao JH
;
Zhao JQ
;
Sun TN
;
Lin LY
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浏览/下载:14/0
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提交时间:2010/11/15
indium phosphide
semi-insulating
annealing
PICTS
photoluminescence
SEMIINSULATING INP
INDIUM-PHOSPHIDE
FE
PHOTOLUMINESCENCE
TEMPERATURE
Effects of annealing time and Si cap layer thickness on the Si/SiGe/Si heterostructures thermal stability
会议论文
11th international conference on molecular beam epitaxy (mbe-xi), beijing, peoples r china, sep 11-15, 2000
Gao F
;
Lin YX
;
Huang DD
;
Li JP
;
Sun DZ
;
Kong MY
;
Zeng YP
;
Li JM
;
Lin LY
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浏览/下载:8/0
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提交时间:2010/11/15
annealing
molecular beam epitaxy
germanium silicon alloys
semiconducting materials
STRAIN RELAXATION
First charge collection and position-precision data on the medium-resistivity silicon strip detectors before and after neutron irradiation up to 2x10(14) n/cm(2)
会议论文
2nd international conference on radiation effects on semiconductor materials, detectors and devices, florence, italy, mar 04-06, 1998
Li Z
;
Dezilllie B
;
Eremin V
;
Li CJ
;
Verbitskaya E
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浏览/下载:14/0
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提交时间:2010/11/15
strip detectors
silicon detectors
annealing
simulation
irradiation
N-EFF
JUNCTION DETECTORS
RADIATION-DAMAGE
MODELS
The SPER and characteristics of Si1-yCy alloys
会议论文
conference on integrated optoelectronics ii, beijing, peoples r china, sep 18-19, 1998
Yu Z
;
Yu JZ
;
Cheng BW
;
Lei ZL
;
Li DZ
;
Wang QM
;
Liang JW
收藏
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浏览/下载:8/0
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提交时间:2010/10/29
Si1-yCy alloys
ion implantation
solid phase epitaxy recrystallization
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