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科研机构
半导体研究所 [3]
内容类型
会议论文 [3]
发表日期
2000 [1]
1999 [1]
1997 [1]
学科主题
半导体材料 [2]
半导体物理 [1]
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内容类型:会议论文
专题:半导体研究所
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Optical properties of self-assembled ternary In(GA/Al)As quantum dots on (100) and (N 1 1)B InP substrates
会议论文
50th iumrs international conference on advanced materials, beijing, peoples r china, jun 13-18, 1999
作者:
Ye XL
;
Xu B
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提交时间:2010/11/15
self-assembled quantum dots
InP substrate
high index
In(Ga,Al)As/InAlAs/InP
MBE
MOLECULAR-BEAM-EPITAXY
VAPOR-PHASE EPITAXY
GAAS
ISLANDS
PHOTOLUMINESCENCE
INP(001)
GROWTH
LASERS
Self-organization of the InGaAs GaAs quantum dots superlattice
会议论文
10th international conference on molecular beam epitaxy (mbe-x), cannes, france, aug 31-sep 04, 1998
Zhuang QD
;
Li HX
;
Pan L
;
Li JM
;
Kong MY
;
Lin LY
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浏览/下载:11/0
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提交时间:2010/11/15
X-RAY-DIFFRACTION
ISLANDS
SURFACES
GROWTH
The enhancement of diffusion by strain of InAs quantum dots in a GaAs matrix
会议论文
10th international conference on superlattices, microstructures and microdevices, lincoln, nebraska, jul 08-11, 1997
Wang ZM
;
Feng SL
;
Lu ZD
;
Zhao Q
;
Yang XP
;
Chen ZG
;
Xu ZY
;
Zheng HZ
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提交时间:2010/11/15
GROWTH
INTERDIFFUSION
ISLANDS
SCALE
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