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| 半導体レーザ素子の製造方法 专利
专利号: JP2810254B2, 申请日期: 1998-07-31, 公开日期: 1998-10-15
作者: 細羽 弘之; 関 章憲; 幡 俊雄; 近藤 雅文; 須山 尚宏
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| 半導体レーザ 专利
专利号: JP2687694B2, 申请日期: 1997-08-22, 公开日期: 1997-12-08
作者: 深谷 一夫
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| 半導体発光素子 专利
专利号: JP2591333B2, 申请日期: 1996-12-19, 公开日期: 1997-03-19
作者: 麻多 進
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| 半導体レーザの製造方法 专利
专利号: JP2554192B2, 申请日期: 1996-08-22, 公开日期: 1996-11-13
作者: 瀧口 治久; 中津 弘志; 猪口 和彦; 厚主 文弘; 坂根 千登勢
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| 半導体レーザ素子 专利
专利号: JP1995066994B2, 申请日期: 1995-07-19, 公开日期: 1995-07-19
作者: 兼岩 進治; 瀧口 治久; 吉田 智彦; 松井 完益
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| 半導体結晶の製造方法 专利
专利号: JP1994080860B2, 申请日期: 1994-10-12, 公开日期: 1994-10-12
作者: 岩田 直高
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| 半導体レーザ装置 专利
专利号: JP1994058988B2, 申请日期: 1994-08-03, 公开日期: 1994-08-03
作者: 河田 誠治; 藤井 宏明
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| - 专利
专利号: JP1993064478B2, 申请日期: 1993-09-14, 公开日期: 1993-09-14
作者: MORIMOTO TAIJI; HAYASHI HIROSHI; YAMAMOTO SABURO; YANO MORICHIKA
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| Manufacture of semiconductor laser 专利
专利号: JP1992369886A, 申请日期: 1992-12-22, 公开日期: 1992-12-22
作者: FUJIWARA KIYOSHI; ISHINO MASATO; MATSUI YASUSHI
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| Semiconductor laser 专利
专利号: JP1992320080A, 申请日期: 1992-11-10, 公开日期: 1992-11-10
作者: MIZUOCHI HITOSHI
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