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Application-oriented nitride substrates for epitaxial growth of electronic and optoelectronic device structures 专利
专利号: US8699537, 申请日期: 2014-04-15, 公开日期: 2014-04-15
作者:  SHARMA, TARUN KUMAR;  TOWE, ELIAS
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Low temperature epitaxial growth of quaternary wide bandgap semiconductors 专利
专利号: US6911084, 申请日期: 2005-06-28, 公开日期: 2005-06-28
作者:  KOUVETAKIS, JOHN;  TSONG, IGNATIUS S. T.;  ROUCKA, RADEK;  TOLLE, JOHN
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Dislocation reduction in non-polar gallium nitride thin films 专利
专利号: US6900070, 申请日期: 2005-05-31, 公开日期: 2005-05-31
作者:  CRAVEN, MICHAEL D.;  DENBAARS, STEVEN P.;  SPECK, JAMES STEPHEN
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Method for forming a low-defect epitaxial layer in the fabrication of semiconductor devices 专利
专利号: US6306675, 申请日期: 2001-10-23, 公开日期: 2001-10-23
作者:  TSONG, IGNATIUS S. T.;  SMITH, DAVID J.;  TORRES, VICTOR M.;  EDWARDS, JR., JOHN L.;  DOAK, R. BRUCE
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Fabrication of group III-V nitrides on mesas 专利
专利号: US6163557, 申请日期: 2000-12-19, 公开日期: 2000-12-19
作者:  DUNNROWICZ, CLARENCE J.;  ROMANO, LINDA T.;  BOUR, DAVID P.
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固体レ-ザの製造方法 专利
专利号: JP2524595B2, 申请日期: 1996-05-31, 公开日期: 1996-08-14
作者:  松野 明;  楡 孝
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Method of in situ photo induced evaporation enhancement of compound thin films during or after epitaxial growth 专利
专利号: US4962057, 申请日期: 1990-10-09, 公开日期: 1990-10-09
作者:  EPLER, JOHN E.;  TREAT, DAVID W.;  PAOLI, THOMAS L.
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Method of producing stripe-structure semiconductor laser 专利
专利号: US4948753, 申请日期: 1990-08-14, 公开日期: 1990-08-14
作者:  YOSHIKAWA, AKIO;  SUGINO, TAKASHI
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Superlattice structure semiconductor device 专利
专利号: JP1990096384A, 申请日期: 1990-04-09, 公开日期: 1990-04-09
作者:  MITSUYU TSUNEO;  OKAWA KAZUHIRO;  KARASAWA TAKESHI
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Semiconductor device 专利
专利号: JP1989245526A, 申请日期: 1989-09-29, 公开日期: 1989-09-29
作者:  YAMAZAKI KOJI
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