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西安光学精密机械研究... [3]
内容类型
专利 [3]
发表日期
2006 [1]
2005 [1]
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Production method of III nitride compound semiconductor and III nitride compound semiconductor element
专利
专利号: US7141444, 申请日期: 2006-11-28, 公开日期: 2006-11-28
作者:
KOIKE, MASAYOSHI
;
TEZEN, YUTA
;
YAMASHITA, HIROSHI
;
NAGAI, SEIJI
;
HIRAMATSU, TOSHIO
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提交时间:2019/12/24
Dislocation reduction in non-polar gallium nitride thin films
专利
专利号: US6900070, 申请日期: 2005-05-31, 公开日期: 2005-05-31
作者:
CRAVEN, MICHAEL D.
;
DENBAARS, STEVEN P.
;
SPECK, JAMES STEPHEN
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浏览/下载:12/0
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提交时间:2019/12/24
Dislocation-specific dielectric mask deposition and lateral epitaxial overgrowth to reduce dislocation density of nitride films
专利
专利号: US20070259464A1, 公开日期: 2007-11-08
作者:
BOUR, DAVID
;
NIJHAWA, SANDEEP
;
SMITH, JACOB
;
WASHINGTON, LORI
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提交时间:2019/12/26
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