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光モジュール 专利
专利号: JP2019096722A, 申请日期: 2019-06-20, 公开日期: 2019-06-20
作者: 松村貴由; 中村直章; 海沼則夫; 久保田崇; 福園健治

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半导体器件及其制造方法 专利
申请日期: 2011-12-01,
作者: 王桂磊

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混合晶向反型模式全包围栅CMOS场效应晶体管 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN101719501A, 申请日期: 2010-06-02, 公开日期: 2010-06-02
肖德元; 王曦; 张苗; 陈静; 薛忠营

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混合晶向积累型全包围栅CMOS场效应晶体管 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN101710585A, 申请日期: 2010-05-19, 公开日期: 2010
肖德元; 王曦; 张苗; 陈静; 薛忠营

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硅衬底上生长的非极性A面氮化物薄膜及其制法和用途 专利
专利号: CN101009346A, 申请日期: 2007-08-01, 公开日期: 2007-08-01
作者: 陈弘; 周均铭; 贾海强; 郭丽伟

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掺铈二硅酸镥闪烁晶体的生长方法 专利
专利类型: 发明, 专利号: ZL200410084635, 申请日期: 2006-06-14, 公开日期: 2011-07-14, 2011-07-15
严成锋; 赵广军; 徐军; 介眀印; 庞辉勇; 张连翰; 夏长泰; 杭寅

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半導体構造体および半導体装置の製造方法 专利
专利号: JP3475637B2, 申请日期: 2003-09-26, 公开日期: 2003-12-08
作者: 横川俊哉; 吉井重雄

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面発光型半導体レーザ 专利
专利号: JP3240636B2, 申请日期: 2001-10-19, 公开日期: 2001-12-17
作者: 森克己; 浅賀達也; 岩野英明

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Semiconductor Laser Device 专利
专利号: EP0899835A1, 申请日期: 1999-03-03, 公开日期: 1999-03-03
作者: THORNTON, ROBERT L.; STREET, ROBERT A.

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