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半導体レーザおよびその製造方法 专利
专利号: JP3314794B2, 申请日期: 2002-06-07, 公开日期: 2002-08-12
作者:  須郷 満;  天明 二郎;  森 英史;  リヒャルト ネェツェル
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化合物半導体装置の製造方法 专利
专利号: JP2000091303A, 申请日期: 2000-03-31, 公开日期: 2000-03-31
作者:  藤井 卓也;  岡崎 二郎;  渡辺 孝幸
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반도체 광집적소자의 제조방법 专利
专利号: KR100155509B1, 申请日期: 1998-07-15, 公开日期: 1998-10-15