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在Si基片上生长高密度超小型Ge量子点的方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2006-03-15, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11, 2010-10-15
时文华; 李传波; 王容伟; 罗丽萍; 王启明
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基于金属诱导结晶工艺的新型Si基Ge量子点结构制备方法 专利
专利号: CN1747130A, 申请日期: 2006-03-15, 公开日期: 2006-03-15
作者:  施毅;  鄢波;  濮林;  张匡吉;  韩平
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在Si基片上生长高密度超小型Ge量子点的方法 专利
专利号: CN1747128A, 申请日期: 2006-03-15, 公开日期: 2006-03-15
作者:  时文华;  李传波;  王容伟;  罗丽萍;  王启明
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