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GSMBE制备Ⅲ-Ⅴ化合物半导体纳米管结构材料的方法 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN101591811, 申请日期: 2009-12-02, 公开日期: 2009-12-02
艾立鹍; 徐安怀; 孙浩; 齐鸣; 朱福英
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一种提高Ⅲ-Ⅴ族应变多量子阱发光强度的方法 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN1933263, 申请日期: 2007-03-21, 公开日期: 2007-03-21
吴惠桢; 曹萌; 劳燕锋; 黄占超; 刘成; 谢正生
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一种提高Ⅲ－Ⅴ族应变多量子阱发光强度的方法 专利
专利号: CN1933263A, 申请日期: 2007-03-21, 公开日期: 2007-03-21
作者:  吴惠桢;  曹萌;  劳燕锋;  黄占超;  刘成
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Low temperature epitaxial growth of quaternary wide bandgap semiconductors 专利
专利号: US6911084, 申请日期: 2005-06-28, 公开日期: 2005-06-28
作者:  KOUVETAKIS, JOHN;  TSONG, IGNATIUS S. T.;  ROUCKA, RADEK;  TOLLE, JOHN
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Buried-ridge laser device 专利
专利号: US5726078, 申请日期: 1998-03-10, 公开日期: 1998-03-10
作者:  RAZEGHI, MANIJEH
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Method of growing compound semiconductor layer 专利
专利号: GB2296816A, 申请日期: 1996-07-10, 公开日期: 1996-07-10
作者:  HIROTAKA, KIZUKI;  YASUTOMO, KAJIKAWA
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半導体光素子の製造方法 专利
专利号: JP1995249575A, 申请日期: 1995-09-26, 公开日期: 1995-09-26
作者:  満原 学;  杉浦 英雄;  伊賀 龍三
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