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| 埋め込み型半導体レーザおよびその製造方法 专利
专利号: JP2913327B2, 申请日期: 1999-04-16, 公开日期: 1999-06-28
作者: 井上 武史; 山口 朗; 入田 丈司
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| 半導体レーザおよびその製造方法 专利
专利号: JP2717016B2, 申请日期: 1997-11-07, 公开日期: 1998-02-18
作者: 細羽 弘之; 関 章憲; 幡 俊雄; 近藤 雅文; 須山 尚宏
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| 多波長半導体レーザ装置 专利
专利号: JP2624310B2, 申请日期: 1997-04-11, 公开日期: 1997-06-25
作者: 池田 外充
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| 混晶グレーデッドエピタキシャル基板 专利
专利号: JP1995120624B2, 申请日期: 1995-12-20, 公开日期: 1995-12-20
作者: 松本 卓
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| 光源駆動回路 专利
专利号: JP1995031823B2, 申请日期: 1995-04-10, 公开日期: 1995-04-10
作者: 内海 喜洋; 本山 明
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| - 专利
专利号: JP1993046116B2, 申请日期: 1993-07-13, 公开日期: 1993-07-13
作者: IDE JUICHI
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| Method for epitaxial growth of lattice mismatching crystal 专利
专利号: JP1992032222A, 申请日期: 1992-02-04, 公开日期: 1992-02-04
作者: ODA HITOSHI; ISHIZAKI AKIYOSHI
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| Structure of semiconductor epitaxial crystal 专利
专利号: JP1991195014A, 申请日期: 1991-08-26, 公开日期: 1991-08-26
作者: HINO ISAO
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| Formation of semiconductor multilayer thin film 专利
专利号: JP1990253613A, 申请日期: 1990-10-12, 公开日期: 1990-10-12
作者: AKASAKI ISAMU; HIRAMATSU KAZUMASA; TANAKA NARIYASU
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| Light emitting diode 专利
专利号: JP1990201975A, 申请日期: 1990-08-10, 公开日期: 1990-08-10
作者: TOKUNAGA HIROYUKI
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