CORC

浏览/检索结果: 共15条,第1-10条 帮助

限定条件    
已选(0)清除 条数/页:   排序方式:
Plasmonic white light source based on FRET coupled emitters 专利
专利号: US10088114, 申请日期: 2018-10-02, 公开日期: 2018-10-02
作者:  LUNZ, MANUELA;  VERSCHUUREN, MARCUS ANTONIUS;  LOZANO, GABRIEL;  GUO, KE;  DE BOER, DIRK KORNELIS GERHARDUS
收藏  |  浏览/下载:10/0  |  提交时间:2019/12/24
Group III nitride semiconductor light emitting device and method of fabricating group III nitride semiconductor light emitting device 专利
专利号: US8872156, 申请日期: 2014-10-28, 公开日期: 2014-10-28
作者:  YONEMURA, TAKUMI;  KYONO, TAKASHI;  ENYA, YOHEI
收藏  |  浏览/下载:15/0  |  提交时间:2019/12/24
Laser diode device 专利
专利号: US8189638, 申请日期: 2012-05-29, 公开日期: 2012-05-29
作者:  ICHINOKURA, HIROYASU;  KURAMOTO, MASARU
收藏  |  浏览/下载:14/0  |  提交时间:2019/12/26
半導体レーザ 专利
专利号: JP3075728B2, 申请日期: 2000-06-09, 公开日期: 2000-08-14
作者:  本多 正治;  浜田 弘喜;  庄野 昌幸;  廣山 良治
收藏  |  浏览/下载:9/0  |  提交时间:2020/01/18
半導体レーザ 专利
专利号: JP2889645B2, 申请日期: 1999-02-19, 公开日期: 1999-05-10
作者:  浜田 弘喜
收藏  |  浏览/下载:24/0  |  提交时间:2020/01/18
半導体発光装置の製造方法 专利
专利号: JP1995046744B2, 申请日期: 1995-05-17, 公开日期: 1995-05-17
作者:  田中 一弘
收藏  |  浏览/下载:6/0  |  提交时间:2020/01/13
Manufacture of semiconductor laser element 专利
专利号: JP1990015687A, 申请日期: 1990-01-19, 公开日期: 1990-01-19
作者:  KONDO MASAFUMI;  SUYAMA NAOHIRO;  TAKAHASHI KOUSEI;  HOSODA MASAHIRO;  SASAKI KAZUAKI
收藏  |  浏览/下载:1/0  |  提交时间:2020/01/18
Visible ray emitting semiconductor laser device 专利
专利号: JP1989296687A, 申请日期: 1989-11-30, 公开日期: 1989-11-30
作者:  ONO MASAYOSHI
收藏  |  浏览/下载:6/0  |  提交时间:2019/12/31
Manufacture of semiconductor light emitting device 专利
专利号: JP1988058985A, 申请日期: 1988-03-14, 公开日期: 1988-03-14
作者:  FURUYA AKIRA
收藏  |  浏览/下载:6/0  |  提交时间:2020/01/13
Semiconductor laser device 专利
专利号: JP1987011287A, 申请日期: 1987-01-20, 公开日期: 1987-01-20
作者:  TAKESHIMA MASUMI
收藏  |  浏览/下载:11/0  |  提交时间:2020/01/18


©版权所有 ©2017 CSpace - Powered by CSpace