|
已选(0)清除
条数/页： 排序方式：
|
| 一种利用二维材料隔层外延生长激光器的方法 专利
专利号: CN108767659A, 申请日期: 2018-11-06, 公开日期: 2018-11-06
作者: 汪莱; 王磊; 余佳东; 郝智彪; 罗毅
  收藏 | 浏览/下载：7/0 | 提交时间：2020/01/18 |
| 一种非极性紫外LED 专利
专利号: CN208014734U, 申请日期: 2018-10-26, 公开日期: 2018-10-26
作者: 王文樑; 李国强; 郑昱林; 阳志超
收藏 | 浏览/下载：14/0 | 提交时间：2019/12/24 |
| InGaN/AlInN量子阱激光器及其制作方法 专利
专利号: CN107579432A, 申请日期: 2018-01-12, 公开日期: 2018-01-12
作者: 郭志友; 侯玉菲; 孙慧卿; 汪鑫; 张秀
收藏 | 浏览/下载：9/0 | 提交时间：2020/01/18 |
| 基于分布式布拉格反射镜波导微腔的硅衬底GaN激光器 专利
专利号: CN107404067A, 申请日期: 2017-11-28, 公开日期: 2017-11-28
作者: 施政; 沈湘菲; 王永进; 蒋元; 袁佳磊
收藏 | 浏览/下载：8/0 | 提交时间：2020/01/18 |
| 具有在基板构件上构造的多个发射器的激光器封装件 专利
专利号: CN106911079A, 申请日期: 2017-06-30, 公开日期: 2017-06-30
作者: 詹姆斯·W·拉林; 保罗·鲁迪; 白辰东
收藏 | 浏览/下载：14/0 | 提交时间：2020/01/18 |
| 一种GaN基激光器和相应制造方法 专利
专利号: CN105356297A, 申请日期: 2016-02-24, 公开日期: 2016-02-24
作者: 李亮; 刘应军; 汤宝; 王任凡
收藏 | 浏览/下载：7/0 | 提交时间：2019/12/31 |
| 一种制备高Al组分的AlGaN材料的p型欧姆接触层的方法及应用 专利
申请日期: 2013-12-11,
作者: 云峰; 田振寰; 王宏; 王越; 黄亚平
收藏 | 浏览/下载：2/0 | 提交时间：2019/12/03 |
| InGaN纳米柱阵列有源区LED及其制备方法 专利
专利类型: 发明, 专利号: 102201516A, 申请日期: 2013-11-20, 公开日期: 2014-01-20
作者: 程国胜
收藏 | 浏览/下载：17/0 | 提交时间：2014/01/20 |
| p-ZnO和n-GaN组合的多层端发射激光器及制备方法 专利
专利号: CN102263370B, 申请日期: 2013-07-10, 公开日期: 2013-07-10
作者: 杜国同; 夏晓川; 赵旺; 梁红伟; 张宝林
收藏 | 浏览/下载：13/0 | 提交时间：2019/12/26 |
| 光発振装置及び記録装置 专利
专利号: JP2013025836A, 申请日期: 2013-02-04, 公开日期: 2013-02-04
作者: 藤田 五郎; 丸山 務
收藏 | 浏览/下载：8/0 | 提交时间：2019/12/31 |
