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| 铟砷氮铋半导体材料、使用该材料的激光器和探测器及制备方法 专利 专利号: CN109920861A, 申请日期: 2019-06-21, 公开日期: 2019-06-21 作者: 芦鹏飞; 王凯林; 陆瑾; 张凡; 张丽
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| 含铋氮化合物的半导体材料和制备方法及全波段光电器件 专利 专利号: CN107910388A, 申请日期: 2018-04-13, 公开日期: 2018-04-13 作者: 王庶民; 芦鹏飞; 梁丹; 张立瑶
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| 锂离子电池用多孔LiFePO4块体电极的制备方法 专利 专利类型: 发明专利, 申请日期: 2012-10-10, 公开日期: 2012-10-10 王晓辉, 秦学, 谢杰 and 周延春
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| 一种基于同质外延制备高效光电子器件的方法 专利 专利号: CN101976713A, 申请日期: 2011-02-16, 公开日期: 2011-02-16 作者: 于彤军; 方浩; 陶岳彬; 李兴斌; 陈志忠
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| 金属有机物化学气相沉积装置 专利 专利类型: 发明, 申请日期: 2010-08-12, 公开日期: 2010-02-24, 2010-08-12, 2010-10-15 作者: 段瑞飞![](/image/person.jpg)
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| 氮化物分布布拉格反射镜及其制备方法 专利 专利号: CN101478115A, 申请日期: 2009-07-08, 公开日期: 2009-07-08 作者: 张保平; 尚景智
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| 用于相变存储器的粘附层材料及制备方法 专利 专利类型: 发明, 专利号: CN101241967, 申请日期: 2008-08-13, 公开日期: 2008-08-13 宋志棠; 刘波; 丁晟; 刘卫丽; 陈宝明; 封松林
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| 一种提高Ⅲ-Ⅴ族应变多量子阱发光强度的方法 专利 专利类型: 发明, 专利号: CN1933263, 申请日期: 2007-03-21, 公开日期: 2007-03-21 吴惠桢; 曹萌; 劳燕锋; 黄占超; 刘成; 谢正生
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| 一种提高Ⅲ-Ⅴ族应变多量子阱发光强度的方法 专利 专利号: CN1933263A, 申请日期: 2007-03-21, 公开日期: 2007-03-21 作者: 吴惠桢; 曹萌; 劳燕锋; 黄占超; 刘成
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| 生长氧化物薄膜的金属有机物化学气相沉积反应室结构 专利 专利类型: 发明, 申请日期: 2006-09-13, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11, 2010-10-15 丛光伟; 刘祥林; 董向芸; 魏宏源; 王占国
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