CORC

浏览/检索结果: 共14条,第1-10条 帮助

限定条件    
已选(0)清除 条数/页:   排序方式:
铟砷氮铋半导体材料、使用该材料的激光器和探测器及制备方法 专利
专利号: CN109920861A, 申请日期: 2019-06-21, 公开日期: 2019-06-21
作者:  芦鹏飞;  王凯林;  陆瑾;  张凡;  张丽
收藏  |  浏览/下载:8/0  |  提交时间:2020/01/18
含铋氮化合物的半导体材料和制备方法及全波段光电器件 专利
专利号: CN107910388A, 申请日期: 2018-04-13, 公开日期: 2018-04-13
作者:  王庶民;  芦鹏飞;  梁丹;  张立瑶
收藏  |  浏览/下载:6/0  |  提交时间:2020/01/18
锂离子电池用多孔LiFePO4块体电极的制备方法 专利
专利类型: 发明专利, 申请日期: 2012-10-10, 公开日期: 2012-10-10
王晓辉, 秦学, 谢杰 and 周延春
收藏  |  浏览/下载:20/0  |  提交时间:2013/06/06
一种基于同质外延制备高效光电子器件的方法 专利
专利号: CN101976713A, 申请日期: 2011-02-16, 公开日期: 2011-02-16
作者:  于彤军;  方浩;  陶岳彬;  李兴斌;  陈志忠
收藏  |  浏览/下载:8/0  |  提交时间:2020/01/18
金属有机物化学气相沉积装置 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2010-08-12, 公开日期: 2010-02-24, 2010-08-12, 2010-10-15
作者:  段瑞飞
收藏  |  浏览/下载:71/0  |  提交时间:2010/08/12
氮化物分布布拉格反射镜及其制备方法 专利
专利号: CN101478115A, 申请日期: 2009-07-08, 公开日期: 2009-07-08
作者:  张保平;  尚景智
收藏  |  浏览/下载:8/0  |  提交时间:2019/12/31
用于相变存储器的粘附层材料及制备方法 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN101241967, 申请日期: 2008-08-13, 公开日期: 2008-08-13
宋志棠; 刘波; 丁晟; 刘卫丽; 陈宝明; 封松林
收藏  |  浏览/下载:8/0  |  提交时间:2012/01/06
一种提高Ⅲ-Ⅴ族应变多量子阱发光强度的方法 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN1933263, 申请日期: 2007-03-21, 公开日期: 2007-03-21
吴惠桢; 曹萌; 劳燕锋; 黄占超; 刘成; 谢正生
收藏  |  浏览/下载:53/0  |  提交时间:2012/01/06
一种提高Ⅲ-Ⅴ族应变多量子阱发光强度的方法 专利
专利号: CN1933263A, 申请日期: 2007-03-21, 公开日期: 2007-03-21
作者:  吴惠桢;  曹萌;  劳燕锋;  黄占超;  刘成
收藏  |  浏览/下载:11/0  |  提交时间:2020/01/18
生长氧化物薄膜的金属有机物化学气相沉积反应室结构 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2006-09-13, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11, 2010-10-15
丛光伟; 刘祥林; 董向芸; 魏宏源; 王占国
收藏  |  浏览/下载:45/0  |  提交时间:2009/06/11


©版权所有 ©2017 CSpace - Powered by CSpace