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| 一种含磷酸铝粘结剂的分子筛催化剂的制备方法和应用 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN201310365249.8, 申请日期: 2015-11-01, 公开日期: 2015-03-18
作者: 徐龙伢; 刘惠; 辛文杰; 刘盛林; 谢素娟
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| III族氮化物半导体激光器元件及III族氮化物半导体激光器元件的制作方法 专利
专利号: CN102549860B, 申请日期: 2014-10-01, 公开日期: 2014-10-01
作者: 善积祐介; 盐谷阳平; 京野孝史; 足立真宽; 德山慎司
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| 氮化物半导体激光器以及外延基板 专利
专利号: CN103999305A, 申请日期: 2014-08-20, 公开日期: 2014-08-20
作者: 京野孝史; 盐谷阳平; 住友隆道; 善积祐介; 上野昌纪
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| III族氮化物半导体激光器元件及III族氮化物半导体激光器元件的制作方法 专利
专利号: CN102549859B, 申请日期: 2014-08-06, 公开日期: 2014-08-06
作者: 善积祐介; 盐谷阳平; 京野孝史; 足立真宽; 德山慎司
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| 氮化物半导体发光元件及外延衬底 专利
专利号: CN102422496B, 申请日期: 2014-08-06, 公开日期: 2014-08-06
作者: 京野孝史; 盐谷阳平; 秋田胜史; 上野昌纪; 善积祐介
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| III族氮化物半导体激光器元件及其制作方法 专利
专利号: CN102025104B, 申请日期: 2014-07-02, 公开日期: 2014-07-02
作者: 善积祐介; 盐谷阳平; 京野孝史; 足立真宽; 秋田胜史
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| GaN基半导体光器件、GaN基半导体光器件的制作方法、外延晶片及GaN基半导体膜的生长方法 专利
专利号: CN103560396A, 申请日期: 2014-02-05, 公开日期: 2014-02-05
作者: 盐谷阳平; 善积祐介; 上野昌纪; 秋田胜史; 京野孝史
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| 氮化物半导体激光器及外延基板 专利
专利号: CN103493316A, 申请日期: 2014-01-01, 公开日期: 2014
作者: 京野孝史; 盐谷阳平; 住友隆道; 善积祐介; 上野昌纪
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| III族氮化物半导体激光二极管及III族氮化物半导体激光二极管的制作方法 专利
专利号: CN102422497B, 申请日期: 2013-09-18, 公开日期: 2013-09-18
作者: 盐谷阳平; 善积祐介; 京野孝史; 秋田胜史; 上野昌纪
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| III族氮化物半导体元件、制造III族氮化物半导体元件的方法及外延基板 专利
专利号: CN103190042A, 申请日期: 2013-07-03, 公开日期: 2013-07-03
作者: 盐谷阳平; 京野孝史; 住友隆道; 善积祐介; 西塚幸司
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