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浏览/检索结果: 共4条，第1-4条 帮助 限定条件 内容类型：专利     已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 锗衬底上制备金属-氧化物-半导体场效应晶体管方法 专利 申请日期: 2011-04-12, 作者:  胡爱斌;  许高博;  徐秋霞 收藏  |  浏览/下载：10/0  |  提交时间：2016/09/18 一种SOI埋氧层下的导电层及其制作工艺 专利 专利类型: 发明, 专利号: CN101916761A, 申请日期: 2010-12-15, 公开日期: 2010-12-15 程新红; 何大伟; 王中健; 徐大伟; 宋朝瑞; 俞跃辉 收藏  |  浏览/下载：33/0  |  提交时间：2012/01/06 可完全消除衬底辅助耗尽效应的SOI超结LDMOS结构的制作工艺 专利 专利类型: 发明, 专利号: CN101916728A, 申请日期: 2010-12-15, 公开日期: 2010-12-15 程新红; 何大伟; 王中健; 徐大伟; 宋朝瑞; 俞跃辉 收藏  |  浏览/下载：23/0  |  提交时间：2012/01/06 一种金属氧化物半导体场效应晶体管 专利 专利类型: 发明, 专利号: CN1039153, 申请日期: 1990-01-01, 公开日期: 1990-01-24 龙伟; 徐元森 收藏  |  浏览/下载：26/0  |  提交时间：2012/01/10