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浮栅型非易失性存储器中复合俘获层的制备方法 专利
专利号: CN200910077725.X, 申请日期: 2012-03-07, 公开日期: 2010-08-18
作者:  刘明;  龙世兵;  王琴;  刘璟
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一种制备浮栅型非易失性存储器中复合俘获层的方法 专利
专利号: CN200910077369.1, 申请日期: 2011-04-27, 公开日期: 2010-08-25
作者:  刘明;  刘璟;  王琴;  龙世兵
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锗衬底上制备金属-氧化物-半导体场效应晶体管方法 专利
申请日期: 2011-04-12,
作者:  胡爱斌;  许高博;  徐秋霞
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一种在锗衬底上制备金属-氧化物-半导体电容的方法 专利
申请日期: 2009-02-09, 公开日期: 2016-03-18
作者:  胡爱斌;  徐秋霞
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激光电路形成方法以及形成的激光电路 专利
专利号: CN1332473A, 申请日期: 2002-01-23, 公开日期: 2002-01-23
作者:  G·E·小得基茨;  W·R·亥福纳;  P·帕瑞延斯尔;  P·J·卡罗尔;  R·C·穆萨阿
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