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垂直腔面发射激光器及其制作方法 专利
专利号: CN110071424A, 申请日期: 2019-07-30, 公开日期: 2019-07-30
作者:  郭炳磊;  王群;  葛永晖;  吕蒙普;  胡加辉
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铟镓氮铋材料和使用该材料的激光器和探测器及制备方法 专利
专利号: CN109449223A, 申请日期: 2019-03-08, 公开日期: 2019-03-08
作者:  芦鹏飞;  张凡;  梁丹;  王庶民;  张丽
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中红外超晶格带间跃迁激光器及其制备方法 专利
专利号: CN108988125A, 申请日期: 2018-12-11, 公开日期: 2018-12-11
作者:  张一;  牛智川;  张宇;  徐应强;  杨成奥
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一种非极性紫外LED 专利
专利号: CN208014734U, 申请日期: 2018-10-26, 公开日期: 2018-10-26
作者:  王文樑;  李国强;  郑昱林;  阳志超
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一种应用在垂直腔面发射激光器中的分布式布拉格反射镜 专利
专利号: CN108616032A, 申请日期: 2018-10-02, 公开日期: 2018-10-02
作者:  崔利杰;  张杨;  曾一平
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鳍式场效应晶体管、鳍结构及其制造方法 专利
专利号: CN201410827222.0, 申请日期: 2018-09-11, 公开日期: 2016-07-20
作者:  钟汇才;  罗军;  赵超;  朱慧珑
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一种具有超晶格限制层的AlGaInP半导体激光器 专利
专利号: CN108346972A, 申请日期: 2018-07-31, 公开日期: 2018-07-31
作者:  徐现刚;  朱振;  张新
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含铋氮化合物的半导体材料和制备方法及全波段光电器件 专利
专利号: CN107910388A, 申请日期: 2018-04-13, 公开日期: 2018-04-13
作者:  王庶民;  芦鹏飞;  梁丹;  张立瑶
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半导体激光器及其制备方法 专利
专利号: CN106356715A, 申请日期: 2017-01-25, 公开日期: 2017-01-25
作者:  程洋;  刘建平;  张书明;  李德尧;  张立群
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第III族氮化物半导体外延基板和第III族氮化物半导体发光元件以及它们的制造方法 专利
专利号: CN105493241A, 申请日期: 2016-04-13, 公开日期: 2016-04-13
作者:  岩田雅年;  大鹿嘉和
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