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| 垂直腔面发射激光器及其制作方法 专利 专利号: CN110071424A, 申请日期: 2019-07-30, 公开日期: 2019-07-30 作者: 郭炳磊; 王群; 葛永晖; 吕蒙普; 胡加辉 收藏  |  浏览/下载:17/0  |  提交时间:2020/01/13 |
| 铟镓氮铋材料和使用该材料的激光器和探测器及制备方法 专利 专利号: CN109449223A, 申请日期: 2019-03-08, 公开日期: 2019-03-08 作者: 芦鹏飞; 张凡; 梁丹; 王庶民; 张丽 收藏  |  浏览/下载:2/0  |  提交时间:2020/01/18 |
| 中红外超晶格带间跃迁激光器及其制备方法 专利 专利号: CN108988125A, 申请日期: 2018-12-11, 公开日期: 2018-12-11 作者: 张一; 牛智川; 张宇; 徐应强; 杨成奥 收藏  |  浏览/下载:3/0  |  提交时间:2020/01/18 |
| 一种非极性紫外LED 专利 专利号: CN208014734U, 申请日期: 2018-10-26, 公开日期: 2018-10-26 作者: 王文樑; 李国强; 郑昱林; 阳志超 收藏  |  浏览/下载:14/0  |  提交时间:2019/12/24 |
| 一种应用在垂直腔面发射激光器中的分布式布拉格反射镜 专利 专利号: CN108616032A, 申请日期: 2018-10-02, 公开日期: 2018-10-02 作者: 崔利杰; 张杨; 曾一平 收藏  |  浏览/下载:9/0  |  提交时间:2019/12/30 |
| 鳍式场效应晶体管、鳍结构及其制造方法 专利 专利号: CN201410827222.0, 申请日期: 2018-09-11, 公开日期: 2016-07-20 作者: 钟汇才; 罗军; 赵超; 朱慧珑 收藏  |  浏览/下载:17/0  |  提交时间:2019/03/22 |
| 一种具有超晶格限制层的AlGaInP半导体激光器 专利 专利号: CN108346972A, 申请日期: 2018-07-31, 公开日期: 2018-07-31 作者: 徐现刚; 朱振; 张新 收藏  |  浏览/下载:7/0  |  提交时间:2019/12/30 |
| 含铋氮化合物的半导体材料和制备方法及全波段光电器件 专利 专利号: CN107910388A, 申请日期: 2018-04-13, 公开日期: 2018-04-13 作者: 王庶民; 芦鹏飞; 梁丹; 张立瑶 收藏  |  浏览/下载:5/0  |  提交时间:2020/01/18 |
| 半导体激光器及其制备方法 专利 专利号: CN106356715A, 申请日期: 2017-01-25, 公开日期: 2017-01-25 作者: 程洋; 刘建平; 张书明; 李德尧; 张立群 收藏  |  浏览/下载:0/0  |  提交时间:2020/01/18 |
| 第III族氮化物半导体外延基板和第III族氮化物半导体发光元件以及它们的制造方法 专利 专利号: CN105493241A, 申请日期: 2016-04-13, 公开日期: 2016-04-13 作者: 岩田雅年; 大鹿嘉和 收藏  |  浏览/下载:26/0  |  提交时间:2020/01/18 |