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Semiconductor apparatus and method of manufacturing the same 专利
专利号: US10177127, 申请日期: 2019-01-08, 公开日期: 2019-01-08
作者:  
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Optoelectronic module having a stamped metal optic 专利
专利号: US9983414, 申请日期: 2018-05-29, 公开日期: 2018-05-29
作者:  MCCOLLOCH, LAURENCE R.;  BARNOSKI, MICHAEL K.;  VALLANCE, ROBERT R.;  LI, SHUHE
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High power vcsel laser treatment device with skin cooling function and packaging structure thereof 专利
专利号: EP3219360A1, 申请日期: 2017-09-20, 公开日期: 2017-09-20
作者:  LI, YANG;  LI, DELONG
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Monolithically integrated III-V optoelectronics with SI CMOS 专利
专利号: US9372307, 申请日期: 2016-06-21, 公开日期: 2016-06-21
作者:  BUDD, RUSSELL A.;  LEOBANDUNG, EFFENDI;  LI, NING;  PLOUCHART, JEAN-OLIVIER;  SADANA, DEVENDRA K.
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Ultra-thin ohmic contacts for p-type nitride light emitting devices 专利
专利号: US20120080688A1, 申请日期: 2012-04-05, 公开日期: 2012-04-05
作者:  RAFFETTO, MARK;  BHARATHAN, JAYESH;  HABERERN, KEVIN;  BERGMANN, MICHAEL;  EMERSON, DAVID
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Diode pumping of a laser gain medium 专利
专利号: US7949022, 申请日期: 2011-05-24, 公开日期: 2011-05-24
作者:  MIESAK, EDWARD J.;  JACKSON, PAUL E.;  LI, PEI-LUEN
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Stack-type diode laser device 专利
专利号: US7142571, 申请日期: 2006-11-28, 公开日期: 2006-11-28
作者:  LI, CHIAN CHIU
收藏  |  浏览/下载：6/0  |  提交时间：2019/12/24
Embedded sensor, method for producing, and temperature/strain fiber optic sensing system 专利
专利号: US6876785, 申请日期: 2005-04-05, 公开日期: 2005-04-05
作者:  LI, XIAOCHUN;  PRINZ, FRIEDRICH;  GOLNAS, ANASTASIOS
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Forming indium nitride (InN) and indium gallium nitride (InGaN) quantum dots grown by metal-organic-vapor-phase-epitaxy (MOCVD) 专利
专利号: US6645885, 申请日期: 2003-11-11, 公开日期: 2003-11-11
作者:  CHUA, SOO JIN;  LI, PENG;  HAO, MAOSHENG;  ZHANG, JI
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Vertical cavity surface emitting lasers with electrically conducting mirrors 专利
专利号: HK0951371A, 申请日期: 1995-08-31, 公开日期: 1995-08-31
作者:  DENNIS GLENN DEPPE;  LEONARD CECIL FELDMAN;  ROSE FASANO KOPF;  ERDMANN FREDERICK SCHUBERT;  LI-WEI TU
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