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浏览/检索结果: 共1条，第1-1条 帮助 限定条件 内容类型：专利    专题：上海微系统与信息技术研究所    第一署名单位    第一作者单位    通讯作者单位     已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 SOI超结LDMOS器件的LDD、LDS及缓冲层一体化制作方法 专利 专利类型: 发明, 专利号: CN102130012A, 申请日期: 2011-07-20, 公开日期: 2011-07-20 程新红; 何大伟; 王中健; 徐大伟; 夏超; 宋朝瑞; 俞跃辉 收藏  |  浏览/下载：44/0  |  提交时间：2012/01/06