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一种包含赝衬底的InP基应变量子阱结构及制备方法 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN101982905A, 申请日期: 2011-03-02, 公开日期: 2011-03-02
顾溢; 张永刚
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宽带隙半导体二极管作为选通管相变存储器及方法 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN101976675A, 申请日期: 2011-02-16, 公开日期: 2011-02-16
吴良才; 宋志棠; 倪鹤南
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基于数字合金的非矩形量子结构及其实现方法 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN101811659A, 申请日期: 2010-08-25, 公开日期: 2010-08-25
张永刚; 顾溢
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大面积纳米线P-N结阵列及其制备方法 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN101587830, 申请日期: 2009-11-25, 公开日期: 2009-11-25
周伟民; 钮晓鸣; 宋志棠; 闵国全; 刘彦伯; 李小丽; 万永忠; 张静; 封松林
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柱状相变材料纳米阵列及其制备方法 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN101567421, 申请日期: 2009-10-28, 公开日期: 2009-10-28
冯高明; 宋志棠; 刘波; 封松林; 万旭东; 吴关平
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绝缘体上硅基三维楔形模斑转换器及其制备方法 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN101308230, 申请日期: 2008-11-19, 公开日期: 2008-11-19
方娜; 杨志峰; 武爱民; 陈静; 王曦
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用于MEMS微机械加工的多层绝缘体上的硅材料及方法 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN101110428, 申请日期: 2008-01-23, 公开日期: 2008-01-23
武爱民; 陈静; 孙佳胤; 王曦
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一种含隧道结的垂直腔型光电子器件 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN1780004, 申请日期: 2006-05-31, 公开日期: 2006-05-31
吴惠桢; 黄占超; 劳燕锋; 刘成; 齐鸣; 封松林
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一种绝缘体上硅的电学参数的表征方法 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN1687800, 申请日期: 2005-10-26, 公开日期: 2005-10-26
孙佳胤; 张正选; 王曦; 林成鲁; 陈静; 张恩霞
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硫系相变材料化学机械抛光的无磨料抛光液及其应用 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN1632023, 申请日期: 2005-06-29, 公开日期: 2005-06-29
张楷亮; 宋志棠; 封松林; 陈邦明
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