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相变存储单元器件的复合电极结构 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN101661992, 申请日期: 2010-03-03, 公开日期: 2010-03-03
宋志棠; 丁晟; 刘波; 凌云; 陈小刚; 蔡道林; 封松林
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射频等离子体分子束外延生长氮化镓的双缓冲层工艺 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN1395291, 申请日期: 2003-02-05, 公开日期: 2003-02-05
齐鸣; 李爱珍; 赵智彪
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