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科研机构
上海微系统与信息技术... [2]
内容类型
专利 [2]
发表日期
2010 [1]
2003 [1]
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内容类型:专利
专题:上海微系统与信息技术研究所
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相变存储单元器件的复合电极结构
专利
专利类型: 发明, 专利号: CN101661992, 申请日期: 2010-03-03, 公开日期: 2010-03-03
宋志棠
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丁晟
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刘波
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凌云
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陈小刚
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蔡道林
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封松林
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提交时间:2012/01/06
射频等离子体分子束外延生长氮化镓的双缓冲层工艺
专利
专利类型: 发明, 专利号: CN1395291, 申请日期: 2003-02-05, 公开日期: 2003-02-05
齐鸣
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李爱珍
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赵智彪
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提交时间:2012/01/06
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