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科研机构
上海微系统与信息技术... [8]
内容类型
专利 [8]
发表日期
2011 [1]
2010 [1]
2008 [1]
2005 [1]
2000 [1]
1989 [1]
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内容类型:专利
专题:上海微系统与信息技术研究所
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三维电阻转换存储芯片制备方法
专利
专利类型: 发明, 专利号: CN102122636A, 申请日期: 2011-07-13, 公开日期: 2011-07-13
刘旭焱
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张挺
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刘卫丽
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宋志棠
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杜小峰
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顾怡峰
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成岩
收藏
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浏览/下载:12/0
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提交时间:2012/01/06
相变存储器存储单元底电极结构的改进及制作实施方法
专利
专利类型: 发明, 专利号: CN101640251, 申请日期: 2010-02-03, 公开日期: 2010-02-03
刘燕
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宋志棠
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凌云
;
龚岳峰
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封松林
收藏
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浏览/下载:18/0
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提交时间:2012/01/06
用于降低相变存储器单元功耗的氧化物隔热层及实现方法
专利
专利类型: 发明, 专利号: CN101226990, 申请日期: 2008-07-23, 公开日期: 2008-07-23
宋志棠
;
徐成
;
刘波
;
封松林
收藏
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浏览/下载:15/0
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提交时间:2012/01/06
改进注氧隔离技术制备的绝缘体上的硅锗材料结构及工艺
专利
专利类型: 发明, 专利号: CN1655323, 申请日期: 2005-08-17, 公开日期: 2005-08-17
陈志君
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张峰
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张正选
收藏
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浏览/下载:15/0
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提交时间:2012/01/06
一种新结构薄膜热电堆
专利
专利类型: 发明, 专利号: CN1274953, 申请日期: 2000-01-01, 公开日期: 2000-11-29
沈德新
;
卢建国
收藏
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浏览/下载:115/0
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提交时间:2012/01/10
铌三锡高场导体的制备方法
专利
专利类型: 发明, 专利号: CN1034088, 申请日期: 1989-01-01, 公开日期: 1989-07-19
何牧
收藏
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浏览/下载:23/0
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提交时间:2012/01/10
制备铌三锡高场超导复合线的方法
专利
专利类型: 发明, 专利号: CN85107979, 申请日期: 1987-01-01, 公开日期: 1987-04-22
何牧
收藏
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浏览/下载:23/0
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提交时间:2012/01/10
抛光法U形槽隔离技术
专利
专利类型: 发明, 专利号: CN86100527, 申请日期: 1987-01-01, 公开日期: 1987-09-23
徐元森
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陈明琪
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吴佛春
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曹树洪
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严金龙
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陆锦兰
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何德淇
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谢明纲
;
周弼芸
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提交时间:2012/01/10
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