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浏览/检索结果: 共6条，第1-6条 帮助 限定条件 内容类型：专利    专题：上海微系统与信息技术研究所    第一署名单位    第一作者单位    通讯作者单位     已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 一种SOI纵向双极晶体管及其制作方法 专利 专利类型: 发明, 专利号: CN102104063A, 申请日期: 2011-06-22, 公开日期: 2011-06-22 陈静; 罗杰馨; 伍青青; 周建华; 肖德元; 王曦 收藏  |  浏览/下载：38/0  |  提交时间：2012/01/06 基于绝缘体上的硅材料的场效应晶体管抗辐照的加固方法 专利 专利类型: 发明, 专利号: CN1763918, 申请日期: 2006-04-26, 公开日期: 2006-04-26 张恩霞; 张正选; 王曦; 孙佳胤; 钱聪; 贺威 收藏  |  浏览/下载：11/0  |  提交时间：2012/01/06 局部绝缘体上的硅制作功率器件的结构及实现方法 专利 专利类型: 发明, 专利号: CN1560925, 申请日期: 2005-01-05, 公开日期: 2005-01-05 杨文伟; 俞跃辉; 董业民; 程新红 收藏  |  浏览/下载：13/0  |  提交时间：2012/01/06 选择外延法制造源漏在绝缘体上的场效应晶体管 专利 专利类型: 发明, 专利号: CN1431690, 申请日期: 2003-07-23, 公开日期: 2003-07-23 董业民; 陈猛; 王曦; 王湘 收藏  |  浏览/下载：15/0  |  提交时间：2012/01/06 降低绝缘体上的硅晶体管源漏串联电阻的结构及实现方法 专利 专利类型: 发明, 专利号: CN1431717, 申请日期: 2003-07-23, 公开日期: 2003-07-23 董业民; 王曦; 陈猛; 陈静 收藏  |  浏览/下载：59/0  |  提交时间：2012/01/06 准绝缘体上的硅场效应晶体管及实现方法 专利 专利类型: 发明, 专利号: CN1431719, 申请日期: 2003-07-23, 公开日期: 2003-07-23 董业民; 王曦; 陈猛; 陈静 收藏  |  浏览/下载：8/0  |  提交时间：2012/01/06