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| 一种基于绝缘体上硅的射频LDMOS晶体管结构 专利
专利号: CN201110007880.1, 申请日期: 2014-10-22, 公开日期: 2012-07-18
作者: 刘刚 ; 刘梦新; 毕津顺; 罗家俊; 韩郑生
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| 一种绝缘体上硅二极管器件及其制备方法 专利
专利号: CN201110183539.1, 申请日期: 2014-10-15, 公开日期: 2011-11-16
作者: 罗家俊; 海潮和; 韩郑生; 毕津顺
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| 一种基于绝缘体上硅的MOS晶体管 专利
专利号: CN201010531161.5, 申请日期: 2013-08-28, 公开日期: 2012-05-23
作者: 罗家俊; 韩郑生; 刘刚; 赵发展; 刘梦新
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| 一种绝缘体上硅器件及其制备方法 专利
专利号: CN200910305117.X, 申请日期: 2011-04-06, 公开日期: 2010-01-06
作者: 毕津顺; 海潮和; 韩郑生; 罗家俊
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| 万门级互补场效应晶体管集成电路的制造方法 专利
专利号: CN1149200, 申请日期: 1996-09-25, 公开日期: 1997-05-07, 2010-11-26
作者: 黄令仪; 朱亚江; 陈晓东
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| 双栅全耗尽SOI CMOS器件及其制备方法 专利
专利号: CN200710063371.4, 公开日期: 2008-07-16
作者: 孙海峰; 赵立新; 海潮和; 毕津顺; 韩郑生
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| 一种高击穿电压绝缘体上硅器件结构及其制备方法 专利
专利号: CN200610104117.X, 公开日期: 2008-02-06
作者: 吴俊峰; 韩郑生; 毕津顺; 海潮和
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