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用于纵向NPN晶体管电离辐射损伤的定量测试方法 专利
申请日期: 2014-07-16,
作者:  陆妩;  郭旗;  王信;  马武英;  李豫东
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一种用于横向NPN晶体管电离辐射损伤的定量测试方法 专利
申请日期: 2014-07-16,
作者:  陆妩;  郭旗;  马武英;  王信;  孙静
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金和镍掺杂单晶硅片式负温度系数热敏电阻及其制备方法 专利
专利类型: 发明, 专利号: ZL200810072972.6, 申请日期: 2011-03-23, 公开日期: 2013-11-27
陈朝阳; 范艳伟; 董茂进; 丛秀云; 陶明德; 王军华
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