QQ客服 官方微博 反馈留言

浏览/检索结果: 共2条，第1-2条 帮助 限定条件 学科主题：physics     已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 Effect of H-2 on polycrystalline si films deposited by plasma-enhanced CVD using ar-diluted SiH4 期刊论文 ACTA PHYSICA SINICA/物理学报, 2006, 卷号: 55, 期号: 11, 页码: 5959-5963 作者:  Qi, J;  Jin, J;  Hu, HL;  Gao, PQ;  Yuan, BH 收藏  |  浏览/下载：3/0  |  提交时间：2015/05/25 low-temperature polycrystalline Si film  PECVD  Ar-diluted SiH4  H-2 flow   Control of the surface reactions during the low-temperature growth of polycrystalline silicon films 期刊论文 ACTA PHYSICA SINICA/物理学报, 2001, 卷号: 50, 期号: 4, 页码: 779-783 作者:  He, DY 收藏  |  浏览/下载：2/0  |  提交时间：2015/05/25 polycrystalline silicon films  low temperature growth  growing surface reaction  bias