QQ客服 官方微博 反馈留言

浏览/检索结果: 共5条，第1-5条 帮助 限定条件 学科主题：engineering     已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 Metal Floating Gate Memory Device With SiO2/HfO2 Dual-Layer as Engineered Tunneling Barrier 期刊论文 IEEE ELECTRON DEVICE LETTERS, 2014, 卷号: 35, 期号: 7, 页码: 744-746 作者:  Chen, GX;  Huo, ZL;  Jin, L;  Han, YL;  Li, XK 收藏  |  浏览/下载：7/0  |  提交时间：2015/05/25 Metal floating gate memory  engineered tunneling barrier   Write-Once-Read-Many-Times Memory Based on ZnO on p-Si for Long-Time Archival Storage 期刊论文 IEEE ELECTRON DEVICE LETTERS, 2011, 卷号: 32, 期号: 10, 页码: 1445-1447 作者:  Qi, J;  Zhang, Q;  Huang, J;  Ren, JJ;  Olmedo, M 收藏  |  浏览/下载：3/0  |  提交时间：2015/05/25 Conducting mechanism  write-once-read-many-times (WORM)  ZnO   Reset Instability in Cu/ZrO2:Cu/Pt RRAM Device 期刊论文 IEEE ELECTRON DEVICE LETTERS, 2011, 卷号: 32, 期号: 3, 页码: 363-365 作者:  Li, YT;  Long, SB;  Lv, HB;  Liu, Q;  Wang, W 收藏  |  浏览/下载：5/0  |  提交时间：2015/05/25 Model  reset instability  resistance random access memory  resistive random access memory (RRAM)   Highly Stable Radiation-Hardened Resistive-Switching Memory 期刊论文 IEEE ELECTRON DEVICE LETTERS, 2010, 卷号: 31, 期号: 12, 页码: 1470-1472 作者:  Wang, Y;  Lv, HB;  Wang, W;  Liu, Q;  Long, SB 收藏  |  浏览/下载：4/0  |  提交时间：2015/05/25 Conductive filament  radiation  resistive random access memory (RRAM)  gamma ray   Resistive Switching Properties of Au/ZrO2/Ag Structure for Low-Voltage Nonvolatile Memory Applications 期刊论文 IEEE ELECTRON DEVICE LETTERS, 2010, 卷号: 31, 期号: 2, 页码: 117-119 作者:  Li, YT;  Long, SB;  Zhang, MH;  Liu, Q;  Shao, LB 收藏  |  浏览/下载：5/0  |  提交时间：2015/05/25 Nonvolatile memory  resistance random access memory (RRAM)  resistive switching  ZrO2