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浏览/检索结果: 共6条，第1-6条 帮助 限定条件 学科主题：Physics    专题：高能物理研究所    第一署名单位    第一作者单位    通讯作者单位     已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 Diamond-cBN alloy: A universal cutting material 期刊论文 APPLIED PHYSICS LETTERS, 2015, 卷号: 107, 期号: 10, 页码: 101901 作者:  Wang, P;  He, DW;  Wang, LP;  Kou, ZL;  Li, Y 收藏  |  浏览/下载：106/0  |  提交时间：2016/04/18 Structural stability of Zn3N2 under high pressure 期刊论文 PHYSICA B-CONDENSED MATTER, 2010, 卷号: 405, 期号: 7, 页码: 1836-1838 作者:  Zhao, JG;  Yang, LX;  You, SJ;  Li, FY;  Jin, CQ 收藏  |  浏览/下载：32/0  |  提交时间：2016/06/29 High pressure synchrotron  Zinc nitride  Structural stability   Pressure-induced metallization and structural evolution of Cu3N 期刊论文 PHYSICA STATUS SOLIDI B-BASIC SOLID STATE PHYSICS, 2006, 卷号: 243, 期号: 3, 页码: 573-578 作者:  Zhao, JG;  Yang, LX;  Yu, Y;  You, SJ;  Liu, J 收藏  |  浏览/下载：11/0  |  提交时间：2016/06/28 Broadband yellow luminescence in the photoluminescence spectra of n-GaN implanted by the different ions 期刊论文 ACTA PHYSICA SINICA, 2006, 卷号: 55, 期号: 10, 页码: 5487-5493 作者:  Zhang, XD;  Lin, DX;  Li, GP;  You, W;  Zhang, LM 收藏  |  浏览/下载：11/0  |  提交时间：2016/06/29 gallium nitride  photoluminescence spectra  ion implantation   Fabrication of silicon nitride/refractory metal tantalum X-ray mask and its application 期刊论文 HIGH ENERGY PHYSICS AND NUCLEAR PHYSICS-CHINESE EDITION, 2005, 卷号: 29, 页码: #REF! 作者:  Xie, CQ;  Niu, JB;  Wang, DQ;  Dong, LJ;  Chen, DP 收藏  |  浏览/下载：17/0  |  提交时间：2016/04/12 proximity X-ray lithography  X-ray mask  TaSi film  inductively coupled plasma  synchrotron radiation   Microstructures and strain relaxation in modulation-doped AlxGa1-xN/GaN heterostructures 期刊论文 INTERNATIONAL JOURNAL OF MODERN PHYSICS B, 2004, 卷号: 18, 期号: 7, 页码: 989-998 作者:  Tan, WS;  Shen, B;  Sha, H;  Cai, HL;  Wu, XS 收藏  |  浏览/下载：16/0  |  提交时间：2016/06/29 high resolution X-ray diffraction  metal organic chemical vapor deposition  reciprocal space mapping  semiconducting III-V nitride  strain relaxation  relaxation line model