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浏览/检索结果: 共4条，第1-4条 帮助 限定条件 学科主题：Physics    专题：上海微系统与信息技术研究所    第一署名单位    第一作者单位    通讯作者单位     已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 Comparison of the performance for InAlAs/GaSbAs/InP DHBT and InP/GaSbAs/InP DHBT 期刊论文 ACTA PHYSICA SINICA, 2012, 卷号: 61, 期号: 12, 页码: 128501 Zhou, SL; Wan-Chun, Y; Hong-Liang, R; Jia, L 收藏  |  浏览/下载：18/0  |  提交时间：2013/04/17 InAlAs/GaSbAs  InP/GaSbAs  II-type DHBT   The optical property of tensile-strained n-type doped Ge 期刊论文 ACTA PHYSICA SINICA, 2012, 卷号: 61, 期号: 3, 页码: 36202 Huang, SH; Li, C; Chen, CZ; Yuan-Yu, Z; Lai, HK; Chen, SY 收藏  |  浏览/下载：11/0  |  提交时间：2013/04/17 strain  n-type doped germanium  internal quantum efficiency  optical gain   Research on synthesis of high-quality and large-scale graphene films by chemical vapor deposition 期刊论文 ACTA PHYSICA SINICA, 2012, 卷号: 61, 期号: 3, 页码: 38702 Wang, WR; Zhou, YX; Li, T; Wang, YL; Xie, XM 收藏  |  浏览/下载：14/0  |  提交时间：2013/04/23 graphene  chemical vapor deposition  Raman spectra  electrical behavior   Band gap and electronic properties of wurtzite-structure ZnO co-doped with IIA and IIIA 期刊论文 JOURNAL OF APPLIED PHYSICS, 2011, 卷号: 110, 期号: 6, 页码: 63724 Han, T; Meng, FY; Zhang, S; Cheng, XM; Oh, JI 收藏  |  浏览/下载：43/0  |  提交时间：2012/04/11 AMER INST PHYSICS