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Generalized spin-orbit torques in two-dimensional ferromagnets with spin-orbit coupling 期刊论文
EUROPEAN PHYSICAL JOURNAL B, 2019, 卷号: 92, 期号: 6, 页码: 136
作者:  Yang, C;  Wang, ZC;  Zheng, QR;  Su, G
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research on the total dose irradiation effect of partial-depletion-silicon-on insulator static random access memory 期刊论文
ACTA PHYSICA SINICA, 2012, 卷号: 61, 期号: 10, 页码: -
作者:  Li Ming;  Yu Xue-Feng;  Xue Yao-Guo;  Lu Jian;  Cui Jiang-Wei
收藏  |  浏览/下载：21/0  |  提交时间：2012/11/29
Impact of back-gate bias on the hysteresis effect in partially depleted SOI MOSFETs 期刊论文
CHINESE PHYSICS B, 2012, 卷号: 21, 期号: 5, 页码: 56602
Luo, JX; Chen, J; Zhou, JH; Wu, QQ; Chai, Z; Yu, T; Wang, X
收藏  |  浏览/下载：18/0  |  提交时间：2013/04/17
Impact of back-gate bias on the hysteresis effect in partially depleted SOI MOSFETs 期刊论文
CHINESE PHYSICS B, 2012, 卷号: 21, 期号: 5, 页码: 56602
Luo, JX; Chen, J; Zhou, JH; Wu, QQ; Chai, Z; Yu, T; Wang, X（重点实验室）
收藏  |  浏览/下载：13/0  |  提交时间：2013/05/10
RELATIONSHIP BETWEEN SILICON-ON-INSULATOR KINK AND RADIATION EFFECTS 期刊论文
INTERNATIONAL JOURNAL OF MODERN PHYSICS E-NUCLEAR PHYSICS, 2011, 卷号: 20, 期号: 6, 页码: 1409-1417
作者:  Cui Jiangwei;  Yu Xuefeng;  Ren Diyuan
收藏  |  浏览/下载：14/0  |  提交时间：2012/11/29
SOI  kink  radiation  
PDSOI CMOS SRAM总剂量辐射及退火效应的研究 期刊论文
核技术, 2011, 卷号: 34, 期号: 6, 页码: 452-456
作者:  李明;  余学峰;  卢健;  高博;  崔江维
收藏  |  浏览/下载：19/0  |  提交时间：2012/11/29
Radiation response of pseudo-MOS transistors fabricated in hardened fully-depleted SIMOX SOI wafers 期刊论文
CHINESE PHYSICS C, 2009, 卷号: 33, 期号: 10, 页码: 866-869
Bi, DW; Zhang, ZX（重点实验室）; Zhang, S; Chen, M; Yu, WJ; Wang, R; Tian, H; Liu, ZL
收藏  |  浏览/下载：13/0  |  提交时间：2013/05/10
Investigation on a solution to improve the irradiation reliability of SOI NMOSFET 期刊论文
CHINESE PHYSICS C, 2008, 卷号: 32, 期号: 12, 页码: 989-991
Yu, WL; Zhang, Z（重点实验室）X; He, W; Tian, H; Chen, M; Wang, R; Bi, DW（重点实验室）; Zhang, S; Wang, X（重点实验室）
收藏  |  浏览/下载：16/0  |  提交时间：2013/05/10
Investigation of SOI substrates incorporated with buried MOSi2 for high frequency SiGeHBTs 期刊论文
CHINESE PHYSICS LETTERS, 2008, 卷号: 25, 期号: 1, 页码: 227-229
Chen, C; Liu, WL; Ma, XB; Shen, QW; song, zt(重点实验室）; Lin, CL
收藏  |  浏览/下载：13/0  |  提交时间：2013/05/10
Effects of the technology of implanting nitrogen into buried oxide layer on the characteristics of partially depleted SOI nMOSFET 期刊论文
ACTA PHYSICA SINICA, 2005, 卷号: 54, 期号: 1, 页码: 348-353
Zheng, ZS; Liu, ZL; Zhang, GQ; Li, N; Fan, K; Zhang, EX; Yi, WB; Chen, M; Wang, X
收藏  |  浏览/下载：13/0  |  提交时间：2012/03/24

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