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浏览/检索结果: 共4条，第1-4条 帮助 限定条件 学科主题：Physics, Condensed Matter    专题：上海微系统与信息技术研究所    第一署名单位    第一作者单位    通讯作者单位     已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 Local structural distortions and Mn random distributions in (Ga,Mn)As: A first-principles study 期刊论文 PHYSICAL REVIEW B, 2004, 卷号: 69, 期号: 8, 页码: 85206-85206 Guo, XG; Chen, XS; Sun, YL; Zhou, XH; Sun, LZ; Cao, JC; Lu, W 收藏  |  浏览/下载：10/0  |  提交时间：2011/12/17 TOTAL-ENERGY CALCULATIONS  III-V SEMICONDUCTORS  WAVE BASIS-SET  MAGNETIC SEMICONDUCTORS  FERROMAGNETISM   The effect of high Landau subbands filling on the hot-electron magneto-transport ultrafast transient in InSb 期刊论文 PHYSICA B, 1999, 卷号: 269, 期号: 1, 页码: 28-33 Caetano, EWS; Mendes, EA; Freire, VN; da Costa, JAP; LEI, XL（雷啸霖）（雷啸霖） 收藏  |  浏览/下载：14/0  |  提交时间：2012/03/25 NARROW-GAP SEMICONDUCTORS  EXTREME QUANTUM LIMIT  ENERGY-LOSS RATE  LOW-TEMPERATURES  FIELD  CARRIERS  GAAS   High-magnetic-field effects on the terahertz mobility of hot electrons in n-type InSb 期刊论文 PHYSICAL REVIEW B, 1998, 卷号: 57, 期号: 19, 页码: 11872-11874 Caetano, EWS; Mendes, EA; Freire, VN; da Costa, JAP; LEI, XL（雷啸霖）（雷啸霖） 收藏  |  浏览/下载：8/0  |  提交时间：2012/03/25 NARROW-GAP SEMICONDUCTORS  RELAXATION  TRANSIENT  CARRIERS   Dependence of the flux-creep time scale on sample size for melt-textured YBa2Cu3O7 by ac-susceptibility measurements 期刊论文 PHYSICAL REVIEW B, 1996, 卷号: 53, 期号: 17, 页码: 11348-11351 Ren, C; Ding, SY; Zheng, ZY; Qin, MJ; Yao, XX; Fu, YX; Cai, CB 收藏  |  浏览/下载：7/0  |  提交时间：2012/03/25 SUPERCONDUCTORS