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Intercorrelated In-Plane and Out-of-Plane Ferroelectricity in Ultrathin Two-Dimensional Layered Semiconductor In2Se3 期刊论文
NANO LETTERS, 2018, 卷号: 18, 期号: 2, 页码: 1253-1258
作者:  Cui, CJ;  Hu, WJ;  Yan, XG;  Addiego, C;  Gao, WP
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Ferroelastically and magnetically co-coupled resistive switching in Nd0.5Sr0.5MnO3/PMN-PT(011) multiferroic heterostructures 期刊论文
APPLIED PHYSICS LETTERS, 2018, 卷号: 112, 期号: 12
作者:  Zheng, Ming;  Xu, Xiao-Ke;  Ni, Hao;  Qi, Ya-Ping;  Li, Xiao-Min
收藏  |  浏览/下载：25/0  |  提交时间：2018/12/28
Stress-induced reversible and irreversible ferroelectric domain switching 期刊论文
APPLIED PHYSICS LETTERS, 2018, 卷号: 112, 期号: 15
作者:  Chen, Zibin;  Huang, Qianwei;  Wang, Feifei;  Ringer, Simon P.;  Luo, Haosu
收藏  |  浏览/下载：21/0  |  提交时间：2018/12/28
Optically Tunable Resistive-Switching Memory in Multiferroic Heterostructures 期刊论文
PHYSICAL REVIEW APPLIED, 2018, 卷号: 9, 期号: 4
作者:  Zheng, Ming;  Ni, Hao;  Xu, Xiaoke;  Qi, Yaping;  Li, Xiaomin
收藏  |  浏览/下载：25/0  |  提交时间：2018/12/28
Reversible resistance switching of GeTi thin film used for non-volatile memory 期刊论文
JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS PART 2-LETTERS & EXPRESS LETTERS, 2007, 卷号: 46, 期号: 1-3, 页码: L1-L3
Shen, J; Xu, C; Liu, B; Song, ZT; Wu, LC; Feng, SL; Chen, B
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