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浏览/检索结果: 共4条，第1-4条 帮助 限定条件 学科主题：半导体物理     已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 Generation and behavior of pure-edge threading misfit dislocations in InxGa1-xN/GaN multiple quantum wells 期刊论文 journal of applied physics, 2004, 卷号: 96, 期号: 9, 页码: 5267-5270 作者:  Li DB 收藏  |  浏览/下载：52/17  |  提交时间：2010/03/09 VAPOR-PHASE EPITAXY   Growth mode and strain evolution during InN growth on GaN(0001) by molecular-beam epitaxy 期刊论文 applied physics letters, 2002, 卷号: 81, 期号: 21, 页码: 3960-3962 Ng YF; Cao YG; Xie MH; Wang XL; Tong SY 收藏  |  浏览/下载：38/0  |  提交时间：2010/08/12 MISFIT DISLOCATIONS  DEFECTS  INGAN  GAN  REDUCTION  INDIUM  LAYERS  FILMS   Characterization of strain relaxation in As ion implanted Si1-xGex epilayers grown by gas source molecular beam epitaxy 期刊论文 applied physics letters, 1998, 卷号: 72, 期号: 7, 页码: 845-847 Zou LF; Wang ZG; Sun DZ; Fan TW; Liu XF; Zhang JW 收藏  |  浏览/下载：51/0  |  提交时间：2010/08/12 HETEROSTRUCTURES  PRECIPITATION  ALLOYS   Influence of rapid thermal annealing on the optical properties of gallium nitride grown by gas-source molecular-beam epitaxy 期刊论文 applied physics letters, 1998, 卷号: 72, 期号: 8, 页码: 936-938 Li XB; Sun DZ; Zhang JP; Kong MY; Yoon SF 收藏  |  浏览/下载：31/0  |  提交时间：2010/08/12 CHEMICAL-VAPOR-DEPOSITION  LIGHT-EMITTING-DIODES  LAYERS  GAAS  HYDROGEN  FILMS